[发明专利]一种OLED显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201711076182.0 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107910454A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 夏存军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,特别是涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
背景技术
随着信息时代的到来,显示技术得到不断更新。OLED(有机电激光显示)显示技术拥有超快的响应速度和轻薄的优势得到巨大的发展。现在OLED面板的显示通常采用下面三种方式:红绿蓝(RGB)并列像素独立发光,光色转换和彩色滤光膜等。
红绿蓝(RGB)像素独立发光:利用FMM(精密的金属掩膜版)与CCD(像素精密对位技术),首先制备红、绿、蓝三基色发光中心,然后调节三种颜色组合的混色比,产生彩色,使三色OLED元件独立发光构成一个像素。该项技术的关键在于提高发光材料的色纯度和发光效率,同时金属荫罩刻蚀技术也至关重要。随着OLED显示器的彩色化、高分辨率和大面积化,金属荫罩刻蚀技术直接影响着显示板画面的质量,所以对金属荫罩图形尺寸精度及定位精度提出了更加苛刻的要求。
光色转换:以蓝光OLED结合光色转换膜阵列,首先制备发蓝光OLED的器件,然后利用其蓝光激发光色转换材料得到红光和绿光,从而获得全彩色。该项技术的关键在于提高光色转换材料的色纯度及效率。这种技术不用FMM及对位技术,只需蒸镀蓝光OLED元件。但它的缺点是光色转换材料容易吸收环境中的蓝光,造成图像对比度下降,同时光导也会造成画面质量降低的问题。
彩色滤光膜:利用白光OLED结合彩色滤光膜,类似液晶显示器的彩色滤光膜制作技术,首先制备发白光OLED的器件,然后通过彩色滤光膜得到三基色,再组合三基色实现彩色显示。该项技术的关键在于获得高效率和高纯度的白光。它的制作过程不用FMM及对位技术,但采用此技术使透过彩色滤光膜所造成光损失高达三分之二。
现在主流的OLED面板显示类型是红、蓝、绿三基色像素点在面板同一面并列分布,通过驱动电路的控制来实现画面的显示,这类显示模式通过压缩像素排布空间来提高像素分辨率,且现在通用的红、蓝、绿三基色像素独立发光制备过程中需要用五道FMM(精密掩膜版)及CCD高精密对位等工艺,这就带来的工艺复杂、良品率低、制备成本较高等问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是,提供一种OLED显示面板及其制造方法,通过叠层结构,降低工艺复杂度和生产成本。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种OLED显示面板的制造方法,包括如下步骤:在基板上形成第一阳极层;在所述第一阳极层上形成导电层、第一像素定义层及覆盖所述导电层的保护层;在所述第一阳极层上形成第一OLED像素层;在所述第一OLED像素层上形成第一阴极层;在所述第一阴极层上形成第二阳极层;在所述第二阳极层上形成第二OLED像素层;在所述第二OLED像素层上形成第二阴极层,使所述第二阴极层通过所述导电层与所述第一阳极层电连接。
优选的,所述第一阴极层、第二阳极层和第二阴极层均由透明材料形成。
进一步的,所述在所述第一阳极层上形成第一像素定义层的步骤具体包括:在所述第一阳极层上形成第一像素定义层,所述第一像素定义层内包括导电层及覆盖所述导电层的保护层,所述导电层的底部与所述第一阳极层电连接。
进一步的,所述在所述第一阳极层上形成导电层、第一像素定义层及覆盖所述导电层的保护层的步骤具体包括:
在所述第一阳极层上形成导电层,所述导电层的第一端与所述第一阳极层电连接;
在所述导电层外围形成第一像素定义层;
在所述导电层的第二端覆盖保护层。
进一步的,所述在所述第二OLED像素层上形成第二阴极层,使所述第二阴极层通过所述导电层与所述第一阳极层电连接的步骤具体包括:除去所述保护层;形成第二像素定义层;在所述第二OLED像素层上形成第二阴极层,使所述第二阴极层通过所述导电层与所述第一阳极层电连接。
其中,所述在所述第一阳极层上形成导电层、第一像素定义层及覆盖所述导电层的保护层的步骤具体包括:依使用脱膜技术除去所述保护层,露出所述导电层的第二端,使用涂胶、曝光、显影技术形成第二像素定义层;使用开放式掩膜板,在所述第二OLED像素层上形成第二阴极层,使所述第二阴极层通过所述导电层与所述第一阳极层电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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