[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：

形成一缓冲层在一衬底上；

形成一硅层在所述缓冲层上；

形成一杂质捕捉层在所述硅层上，所述杂质捕捉层具有多孔性以容置从所述衬底扩散来的杂质；以及

将所述杂质捕捉层留在所述硅层上并对所述硅层利用雷射照射来进行退火以形成一多晶硅层。

2.如权利要求1所述的制造方法，更包括：

利用光刻蚀刻工序在所述杂质捕捉层定义一图案，其中所述雷射照射的行进方向是从所述图案一侧横跨所述图案到所述图案的另一侧，所述多晶硅层在所述杂质捕捉层的一侧及所述另一侧是作为晶体管的源极与漏极，所述多晶硅层在所述杂质捕捉层正下方是作为晶体管的信道区。

3.如权利要求2所述的制造方法，其中所述杂质捕捉层是光刻胶。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中所述杂质捕捉层是一低密度多孔性氧化硅层，孔径小于20nm。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中所述杂质捕捉层的孔隙作为再结晶成长空间。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述硅层在所述缓冲层上的步骤包括：

形成一第一硅层在所述缓冲层上；以及

形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一防扩散界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中所述第一硅层以及所述第二硅层为不连续沉积，所述第一硅层与所述第二硅层间的不连续沉积界面作为所述障碍衬底杂质界面。

8.如权利要求6所述的制造方法，更包括：

粗糙化所述第一硅层的表面以形成所述障碍衬底杂质界面，其中所述第二硅层及所述障碍衬底杂质界面形成在所述第一硅层的粗糙化表面。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中粗糙化所述第一硅层的表面的步骤是蚀刻所述第一硅层的表面。

10.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：

如权利要求1至9其中任一项所述制造方法的步骤；

在所述多晶硅层上形成一闸极绝缘层；以及

在所述闸极绝缘层上形成一闸极；

形成一源电极及一漏电极，所述源电极及所述漏电极电性连接所述多晶硅层。