[发明专利]非连续双面异质结夹层结构二氧化锡-氧化镍-二氧化锡的制备方法及其产品和应用有效

专利信息
申请号: 201711065020.7 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN107640793B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 何丹农;张芳;葛美英;吴晓燕;段磊;金彩虹 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C01G53/04 分类号: C01G53/04;C01G19/02;G01N27/00
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 连续 双面 异质结 夹层 结构 氧化 制备 方法 及其 产品 应用
【说明书】:

发明公开了一种非连续双面异质结夹层结构二氧化锡‑氧化镍‑二氧化锡的制备方法及其产品和应用,将镍的前驱体溶于去离子水中形成Ni2+溶液,搅拌均匀后,在室温下加入六甲基四胺继续搅拌;连续通入氮气后加温到90oC进行反应;制得的Ni(OH)2沉淀用去离子水离心洗涤3次在烘箱干燥24 h后,浸入SnCl4溶液中,放入马弗炉500~800 oC烧3 h,得到非连续双面异质结夹层结构。本发明不需要较长时间的反应过程,通过控制异质结结构的浓度、尺寸及分布来调控气敏原件性能。本发明操作简单,制备出来异质结夹层结构尺寸分布均匀,结构可控,可用于气敏传感器、超级电容器电极、太阳能电池阳极等。

技术领域

本发明涉及半导体气敏传感器的制备技术,具体是指一种非连续双面异质结夹层结构二氧化锡-氧化镍-二氧化锡的制备方法及其产品和应用。

背景技术

目前 NiO 基传感器材料存在的主要问题是灵敏度低、响应和恢复慢、选择性差。前两个问题部分是因为 p 型半导体依赖空穴耗尽层的气敏特性所致,后者则是所有金属氧化物的共性问题。通过不同金属氧化物半导体材料复合构建异质结,扩大空间电荷耗尽层/空穴积聚层来提高灵敏度和选择性在多个体系里已被证明是有效的方法。

若能在制备过程中将多孔空心结构和异质结相结合将有助于大幅度提高 NiO 的气敏特性,包括灵敏性、响应速度和选择性。现有纳米金属氧化物异质结设计主要是核壳结构、混合颗粒以及多层膜三种。其中以前者调控能力最强,也最为主流,通常在核壳界面上形成二极(p-n、n-n、p-p 等) 多孔中空结构,壳层内外表面用异质相进行修饰,可以是金属氧化物,也可以是金属等,从而可形成 n-p-n、m(etal)-p-m(etal)等类型的非连续双面异质结夹层结构,在此基础上也可扩展到更多层。与传统结构相比,在内外界面上可形成双异质结,从而倍增了空穴积聚层。此外由于 NiO 纳米颗粒表面层与体内电阻的并联特性,内部中空结构可大幅削减体电阻的影响,从而改善电流响应特性。

发明内容

为克服现有技术的不足,本发明目的在于:提供一种非连续双面异质结夹层结构二氧化锡-氧化镍-二氧化锡的制备方法。

本发明再一目的在于:提供上述方法制备的产品。

本发明目的通过下述方案实现:本发明又一目的在于:提供上述立产品的应用。

一种非连续双面异质结夹层结构二氧化锡-氧化镍-二氧化锡的制备方法,包括如下步骤:

(1)将镍的前驱体溶于去离子水中形成Ni2+溶液,搅拌均匀后,在室温下加入六甲基四胺继续搅拌;

(2)在步骤(1)连续通入氮气后加温到90 oC进行反应;

(3)将步骤(2)制得的Ni(OH)2沉淀用去离子水离心洗涤3次在烘箱干燥24 h后,浸入SnCl4溶液中,放入马弗炉500~800 oC烧3 h,得到非连续双面异质结夹层结构。

在上述方案基础上,溶于水的镍前驱体为氯化镍或硫酸镍的一种,Ni2+的浓度为0.5~1.2 mol/l,在室温下搅拌速度为200~300 rpm,时间30 min。

步骤(2)所述的氮气流速为5~15 ml/min,反应时间为1~3 h。

步骤(3)所述的SnCl4的浓度为0.5~2.0 mol/l。

本发明提供一种非连续双面异质结夹层结构二氧化锡-氧化镍-二氧化锡,按上述任一所述方法。

本发明提供一种非连续双面异质结夹层结构二氧化锡-氧化镍-二氧化锡在甲醛气体检测的应用。

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