[发明专利]波长转换元件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711061898.3 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN109755355B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 徐梦梦;常静;胡飞;周萌;许颜正 申请(专利权)人: 深圳光峰科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/50;H01L33/64;H01L33/60
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;姚鹏
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 波长 转换 元件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种波长转换元件,包括:

光阻隔材料,所述光阻隔材料为无机非金属材料;在所述光阻隔材料中形成有二维排列的多个凹坑,所述凹坑在纵向截面中为倒梯形,所述凹坑的内壁的表面粗糙度为0.1μm至15μm;以及

波长转换材料,所述波长转换材料设置在所述光阻隔材料的各个所述凹坑中,且所述波长转换材料的上表面与所述光阻隔材料的上表面齐平,以用于从所述光阻隔材料的上表面接收外部的激发光以产生受激光,

所述波长转换元件还包括具有导热和光反射功能的底层,所述底层填充在所述光阻隔材料的各个所述凹坑的底部,所述底层在纵向截面中为倒梯形。

2.根据权利要求1所述的波长转换元件,其中,

所述凹坑贯穿所述光阻隔材料的整个厚度,使得各个所述底层从所述光阻隔材料的下表面露出,并且

所述波长转换元件还包括散热器,所述散热器形成有与所述凹坑具有相同排列方式的多个支柱,且经由所述支柱连接到从所述光阻隔材料的下表面露出的各个所述底层。

3.根据权利要求1或2所述的波长转换元件,其中,所述底层包括由纳米银粉和玻璃粉烧结成的烧结银。

4.根据权利要求1或2所述的波长转换元件,其中,所述波长转换材料包括玻璃材料和荧光材料。

5.根据权利要求1或2所述的波长转换元件,其中,所述无机非金属材料为Al2O3陶瓷、硅片或AlN陶瓷。

6.根据权利要求1或2所述的波长转换元件,其中,所述凹坑的内壁的表面粗糙度为0.5μm至10μm。

7.根据权利要求1或2所述的波长转换元件,其中,所述凹坑的内壁上设置有光反射层。

8.一种波长转换元件,包括:

光阻隔材料,所述光阻隔材料为无机非金属材料;在所述光阻隔材料中形成有二维排列的多个凹坑,所述凹坑在纵向截面中为倒梯形,所述凹坑的内壁的表面粗糙度为0.1μm至15μm;以及

波长转换材料,所述波长转换材料设置在所述光阻隔材料的各个所述凹坑中,且所述波长转换材料的上表面与所述光阻隔材料的上表面齐平,以用于从所述光阻隔材料的上表面接收外部的激发光以产生受激光,

所述凹坑贯穿所述光阻隔材料的整个厚度,使得所述波长转换材料从所述光阻隔材料的下表面露出,并且

所述波长转换元件还包括散热器,所述散热器形成有与所述凹坑具有相同排列方式的多个支柱,且所述支柱的至少一部分从所述光阻隔材料的下表面插入到所述凹坑中,使得所述支柱嵌入在所述波长转换材料中。

9.根据权利要求8所述的波长转换元件,其中,所述波长转换材料包括玻璃材料和荧光材料。

10.根据权利要求8所述的波长转换元件,其中,所述无机非金属材料为Al2O3陶瓷、硅片或AlN陶瓷。

11.根据权利要求8所述的波长转换元件,其中,所述支柱的尺寸对应于所述倒梯形的下底尺寸。

12.根据权利要求8所述的波长转换元件,其中,位于所述凹坑中的所述支柱的至少一部分受到表面粗化处理。

13.根据权利要求8所述的波长转换元件,其中,所述凹坑的内壁的表面粗糙度为0.5μm至10μm。

14.根据权利要求8所述的波长转换元件,其中,所述凹坑的内壁上设置有光反射层。

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