[发明专利]含咔唑及吡啶构建单元材料的有机电致发光器件

说明书

本发明含咔唑及吡啶构建单元材料的有机电致发光器件，包括阴极、阳极和有机层，所述有机层为空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层中的一层或多层，所述有机层中含有式(I)所示的化合物，其中，R¹、R²独立选自氢，C1‑C4取代或未取代的烷基，C2‑C4取代或者未取代的烯烷基，C2‑C4取代或者未取代的炔烷基，C6‑C10的含有一个或者多个取代基取代或未取代的芳基、芳烃基，C3‑C8的含有一个或者多个取代基取代或未取代的含有一个或者多个杂原子的杂芳基。实验结果表明，含咔唑及吡啶构建单元材料的OLED，具有很好的电致发光性能。

技术领域

本发明涉及有机发光二极管，特别是涉及含咔唑及吡啶构建单元材料的有机电致发光器件，该材料通过真空沉积成薄膜，作为发光层主体材料用于有机发光二极管器件中。

背景技术

近年来，有机发光二极管(OLED)作为一种有巨大应用前景的照明、显示技术，受到了学术界与产业界的广泛关注。OLED器件具有自发光、广视角、反应时间短及可制备柔性器件等特性，成为下一代显示、照明技术的有力竞争者。但目前OLED仍然存在效率低、寿命短等问题，有待人们进一步研究。

有机发光二极管为电致发光器件，在电压驱动下，电子和空穴分别经电子传输层和空穴传输层进入发光层复合形成激子。之后，激子将能量传递给有发光特性的有机分子，使其受激发，激发态分子回到基态时发生辐射跃迁而发光。自1998年Forrest等人报道电致磷光器件(PHOLED)以来，PHOLED因其可以高效利用三线态和单线态激子发光而备受关注。高效PHOLED器件通常为多层结构，其优点在于可以方便地调节载流子注入、传输及复合等过程。在发光层中，当客体掺杂浓度较高时，会出现浓度淬灭和T₁-T₁湮灭，导致发光效率降低。为了解决这些问题，通常将客体材料掺杂在主体材料中，从而“稀释”客体材料的浓度。主体中形成的激子通过和Dexter能量转移的方式传递给客体，受激发的客体辐射发光回到基态。因此，为了获得高效PHOLED器件，开发新型高性能的主体材料尤为重要。

主体材料可以分为空穴型、电子型和双极型三种类型。当使用空穴型主体材料时，空穴、电子复合通常发生在发光层和电子传输层界面上；当使用电子型主体材料时，空穴、电子复合通常发生在发光层和空穴传输层界面上。可见，单极型主体材料易于导致载流子复合区域变窄。窄的复合区域会导致局部激子密度升高而加速T₁-T₁湮灭，不利于器件性能的提升。而双极型主体材料则可以有效地解决上述问题。使用双极型主体材料，既可以平衡器件中的空穴和电子、拓宽载流子复合区域，又可以简化器件结构，引起了该领域研究者的极大兴趣。

发明内容

本发明目的在于提供一种新型基于吡啶和咔唑构建单元的双极型主体材料，将该材料以用于有机发光二极管器件，获得了很好的发光效率。

含咔唑及吡啶构建单元材料的有机电致发光器件，包括阴极、阳极和有机层，所述有机层为空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层中的一层或多层，所述有机层中含有式(I)所示的化合物：

Ar为下列基团中的一个：

其中，R¹、R²独立选自氢，C1-C4取代或未取代的烷基，C2-C4取代或者未取代的烯烷基，C2-C4取代或者未取代的炔烷基，C6-C10的含有一个或者多个取代基取代或未取代的芳基、芳烃基，C3-C8的含有一个或者多个取代基取代或未取代的含有一个或者多个杂原子的杂芳基；所述取代为被卤元素、C1－C4的烷基所取代。

优选地，R¹、R²独立选自氢，C1-C4烷基，C6-C10的含有一个或者多个取代或未取代的芳基、芳烃基；