[发明专利]晶体管显示板的制造方法和利用于该方法的研磨浆料在审
申请号: | 201711056935.1 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN108010878A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 秋秉权;朴珍亨;姜秉薰;金光淑;裴俊和;曹雨辰;赵玹辰;千俊赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;优备材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;C09K3/14 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 显示 制造 方法 利用 研磨 浆料 | ||
1.一种晶体管显示板的制造方法,包括如下的步骤:
在基板上形成半导体层;
对所述半导体层进行图案化而形成有源层;
形成覆盖所述基板和所述有源层的第一绝缘膜;
研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有缘层;
形成覆盖所述第一绝缘膜和所述有缘层的第二绝缘膜,
研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有缘层的步骤利用研磨浆料执行,所述研磨浆料包括研磨粒子、分散剂、分散稳定剂、非离子型研磨抑制剂和pH调节剂。
2.如权利要求1所述的晶体管显示板的制造方法,其中,
形成所述第一绝缘膜的步骤按如下方式执行:
使所述第一绝缘膜包括覆盖所述基板的第一部分和覆盖所述有源层的第二部分。
3.如权利要求2所述的晶体管显示板的制造方法,其中,
研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有源层的步骤按如下方式执行:
使所述第一部分的研磨率和所述第二部分的研磨率之比为1:5以下。
4.如权利要求1所述的晶体管显示板的制造方法,其中,
研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有源层的步骤按如下方式执行:
使所述第一绝缘膜和所述有源层具有相同的厚度。
5.如权利要求1所述的晶体管显示板的制造方法,其中,
所述有源层和所述第二绝缘膜直接接触。
6.一种研磨浆料,使用于根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶体管显示板的制造方法,包括:
研磨粒子;
分散剂,包括阴离子型高分子、阳离子型高分子、羟基酸和氨基酸中的至少一种;
分散稳定剂,包括具有羧基的有机酸;
非离子型研磨抑制剂;以及
pH调节剂。
7.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述研磨粒子为选自由湿式二氧化铈、干式二氧化铈、二氧化硅、氧化铝、氧化锆和二氧化钛组成的群中的一种以上。
8.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述研磨粒子的晶体结构是多面体结构或者圆边形立方结构。
9.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述研磨粒子的平均粒径是40nm至150nm。
10.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述研磨粒子的含量相对于研磨浆料整体重量占0.1重量%至10重量%。
11.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述阴离子型高分子是选自由草酸、柠檬酸、聚磺酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、它们的共聚物及其盐组成的群中的一种以上。
12.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述分散剂的含量相对于研磨浆料整体重量占0.003重量%至0.06重量%。
13.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述分散稳定剂是选自由中性氨基酸、酸性氨基酸和碱性氨基酸组成的群中的一种以上,
所述中性氨基酸包括丙氨酸、甘氨酸、酪氨酸和缬氨酸中的至少一种,
所述酸性氨基酸包括天冬氨酸和谷氨酸中的至少一种,
所述碱性氨基酸包括柠檬酸和赖氨酸中的至少一种。
14.如权利要求6所述的研磨浆料,其中,
所述分散稳定剂的含量相对于研磨浆料整体重量占0.0004重量%至0.008重量%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造