[发明专利]n型双面太阳电池的制备方法

说明书

本发明提供一种n型双面太阳电池的制备方法，对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理；在硅基底背面进行发射极的制备；进行绝缘处理；在硅基底正面进行前表面场制备；受光面的钝化及减反射膜制备，以及背面钝化层制备；在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；进行第一热处理过程；进行第二热处理过程。该方法形成的接触电阻较常规方法更低，表面钝化膜经过第二热处理后也具有更好的钝化性能，工艺流程较为简单。并且发射极置于太阳电池的背面，因此在太阳电池正面的减反射膜的制备时，并不需要太多限制，在背面发射极表面的钝化层设计时，可以不用顾忌光透过率的影响，可以在背面将钝化做到最佳。

技术领域

本发明涉及一种n型双面太阳电池的制备方法。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

目前使用的太阳电池的步骤中，在形成图形化导电浆料的涂布后，会进行一个高温烧结步骤，这个步骤会导致如下一些问题的发生：传统的烧结，温度较高，对电池的发射极和背面场的钝化性能有较大的负面影响；传统的烧结，电池电极的接触电阻和串联电阻等偏高；传统的烧结，电池烧结工艺窗口较窄，因为涉及多种电极组成成分，多种钝化结构，不能使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳。并且目前的太阳电池发射极在正面，使得在发射极的钝化和减反射不能同时达到最佳，以上缺点从而使得目前的n型太阳电池，不能达到最佳的电池转换效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种n型双面太阳电池的制备方法解决现有技术中存在的传统的烧结，温度较高，对电池的发射极和背面场的钝化性能有较大的负面影响，电池电极的接触电阻和串联电阻等偏高，电池烧结工艺窗口较窄，因为涉及多种电极组成成分，多种钝化结构，不能使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳，并且目前的太阳电池发射极在正面，使得在发射极的钝化和减反射不能同时达到最佳，以上缺点从而使得目前的n型太阳电池，不能达到最佳的电池转换效率的问题。

本发明的技术解决方案是：

一种n型双面太阳电池的制备方法，包括以下步骤，

步骤1、对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理；

步骤2、在硅基底背面进行发射极的制备；

步骤3、进行绝缘处理；

步骤4、在硅基底正面进行前表面场制备；

步骤5、受光面的钝化及减反射膜制备，以及背面钝化层制备；

步骤6、在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；

步骤7、进行第一热处理过程；

步骤8、进行第二热处理过程。

进一步地，步骤2中发射极制备采用直接在基底上掺杂形成的p型同质发射极，或在基底上沉积p型掺杂的多晶硅或非晶硅形成的异质发射极。

进一步地，采用异质发射极的制备时，在硅基底和掺杂多晶硅或非晶硅之间形成一层隧穿钝化层。

进一步地，步骤4中前表面场采用直接在基底上掺杂形成的n型表面场，或在基底上沉积n型掺杂的多晶硅或非晶硅层而形成的异质表面场，前表面场采用整面或局部设置。

进一步地，采用异质背面发射极时，在硅基底和p型掺杂的多晶硅或非晶硅之间形成一层隧穿钝化层。

进一步地，隧穿钝化层采用本征非晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种。

进一步地，隧穿钝化层的厚度0.5nm~3nm。