[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域，包括：显示区和围绕显示区的非显示区；显示区包括多条栅极线、多条数据线、多个像素；像素包括开关晶体管、驱动晶体管、电容元件和有机发光二极管；开关晶体管包括开关有源层，开关有源层的材料包括非晶硅；驱动晶体管包括驱动有源层，驱动有源层的材料包括多晶硅。相对于现有技术，可以减小开关晶体管的漏电流，不影响阵列基板的正常工作，提升显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、相应速度快等优点。OLED显示技术成为显示技术的重要研发方向之一。

现有技术提供的OLED显示面板中，包括多个像素，像素包括有机发光二极管，有机发光二极管包括阳极、阴极、以及设置在阳极和阴极之间的有机发光材料层。向阳极和阴极分别施加适当的电压，阳极空穴与阴极电子就会在有机发光材料层中结合，产生光亮。

为了驱动有机发光二极管发光，像素中设置有像素驱动电路，像素驱动电路包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)等电路元件。

已知的，薄膜晶体管在工作时包括开态和关态。开态的大电流承相着充放电的功能，电流越大，充放电越快越充分，所以，开态电流Ion也叫工作电流，开态电流Ion越大越好。关态的小电流影响着漏电的快慢程度，理想的薄膜晶体管应该在关态没有电流，所以，关态电流Ioff也叫漏电流，关态电流Ioff越小越好。

已知的，薄膜晶体管包括半导体层。半导体层的材料可以选用非晶硅、多晶硅或者金属氧化物，由于非晶硅的电子迁移率较低，其开态电流Ion和关态电流Ioff都较小，驱动有机发光二极管发光的能力较差，因此，现有技术提供的OLED显示面板中，像素驱动电路中的薄膜晶体管均使用多晶硅或者金属氧化物制作半导体层。

但是，多晶硅薄膜晶体管或者金属氧化物薄膜晶体管的关态电流Ioff较大，即为像素驱动电路中漏电流较大，会影响显示面板的正常工作，降低了显示品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置。

本发明提供了一种阵列基板，包括：显示区和围绕显示区的非显示区；显示区包括多条栅极线、多条数据线、多个像素；像素包括开关晶体管、驱动晶体管、电容元件和有机发光二极管；其中，开关晶体管的栅极与栅极线电连接，开关晶体管的第一极与数据线电连接，开关晶体管的第二极与第一节点电连接；驱动晶体管的栅极与第一节点电连接，驱动晶体管的第一极与第一电压源电连接，驱动晶体管的第二极与第二节点电连接；电容元件的第一极板与第一节点电连接，电容元件的第二极板与第二节点电连接；有机发光二极管与第二节点电连接；开关晶体管包括开关有源层，开关有源层的材料包括非晶硅；驱动晶体管包括驱动有源层，驱动有源层的材料包括多晶硅。

在一些可选的实施例中，驱动晶体管为底栅结构。

在一些可选的实施例中，驱动有源层的电子迁移率为P1，开关有源层的电子迁移率为P2，其中，P1/P2≥10。

在一些可选的实施例中，10平方厘米/(伏·秒)≤P1≤100平方厘米/(伏·秒)；0.2平方厘米/(伏·秒)≤P2≤1.5平方厘米/(伏·秒)。

在一些可选的实施例中，驱动有源层的厚度小于开关有源层的厚度。

在一些可选的实施例中，驱动有源层的厚度小于等于

在一些可选的实施例中，驱动有源层的面积小于开关有源层的面积。