[发明专利]光瞳相位调制器、极紫外线光刻系统及方法

权利要求书

1.一种光刻系统，包括：

辐射源，配置为生成极紫外线(EUV)光；

掩模，限定集成电路(IC)的一个或多个部件；

照射器，配置为将所述极紫外线光引导到所述掩模上，其中，所述照射器包括透明的第一图案，并且其中，所述掩模将所述极紫外线光衍射为0级光线和多个更高级光线；

晶圆台，配置为固定根据由所述掩模限定的一个或多个部件将图案化的晶圆；

光瞳相位调制器，位于定位在所述掩模和所述晶圆台之间的光瞳面中，其中，所述光瞳相位调制器包括阻挡所述极紫外线光的第二图案，其中，所述第二图案配置为改变所述0级光线的相位，其中，在顶视图中，所述第一图案和所述第二图案相对应并且具有类似的轮廓。

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述光瞳相位调制器配置为将所述0级光线的相位反转180度。

3.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，

所述更高级光线具有负底部振幅；

相位反转的所述0级光线具有正振幅；以及

所述光瞳相位调制器配置为衰减所述0级光线的振幅，使得所述相位反转的0级光线的正振幅大致抵消所述更高级光线的负底部振幅。

4.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，

所述第二图案还包括第一相移层和一个或多个机械支撑层，其中，所述一个或多个机械支撑层被配置为向所述第一相移层提供机械支撑。

5.根据权利要求4所述的光刻系统，其中，

所述第一相移层包括钼、锆、钌或镍；以及

所述一个或多个机械支撑层的每个包括硅。

6.根据权利要求4所述的光刻系统，其中，所述光瞳相位调制器还包括具有与所述第一相移层不同的材料组成的第二相移层。

7.根据权利要求4所述的光刻系统，其中，所述光瞳相位调制器的位于所述第二图案之外的区域包括真空。

8.根据权利要求4所述的光刻系统，其中，所述光瞳相位调制器的位于所述第二图案之外的区域包括硅。

9.一种光瞳相位调制器，包括：

相移层，配置为改变0级光线的相位，其中，所述0级光线是响应于由包括透明的第一图案的照射器引导到极紫外线掩模上的入射极紫外线光，极紫外线(EUV)掩模衍射的多个光线中的一个，其中，所述相移层包括阻挡所述极紫外线光的第二图案，其中，在顶视图中，所述第一图案和所述第二图案相对应并且具有类似的轮廓；以及

一个或多个机械支撑层，配置为向所述相移层提供机械支撑。

10.根据权利要求9所述的光瞳相位调制器，其中，所述相移层配置为将所述0级光线的相位反转180度。

11.根据权利要求9所述的光瞳相位调制器，其中，

由所述极紫外线掩模衍射的所述多个光线包括多个更高级光线；

所述更高级光线具有负底部振幅；

相位反转的0级光线具有正振幅；以及

所述光瞳相位调制器配置为通过预定的比率衰减所述0级光线的振幅，使得所述相位反转的0级光线的正振幅大致抵消所述更高级光线的负底部振幅。

12.根据权利要求9所述的光瞳相位调制器，其中，自上而下观看时，所述光瞳相位调制器具有与照射器的平面大致匹配的平面，所述照射器配置为将所述入射极紫外线光引导到所述极紫外线掩模上。

13.根据权利要求9所述的光瞳相位调制器，其中，

所述相移层包括钼、锆、钌或镍；以及

所述一个或多个机械支撑层的每个包括硅。

14.根据权利要求9所述的光瞳相位调制器，其中，所述相移层是第一相移层，并且所述光瞳相位调制器还包括具有与所述第一相移层不同的材料组成的第二相移层。