[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
申请号: | 201711033037.4 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107634087A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 周婷婷;羊振中;张斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 贾莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
对于现有的显示装置而言,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
随着显示技术的不断发展,OLED显示装置的分辨率越来越高。通常微型(Micro)OLED显示装置采用大于3000PPI((Pixels Per Inch,像素密度)的超高PPI设计。例如,以0.39英寸,分辨率为1024×768的OLED显示装置而言,其像素密度可以达到3256PPI。在此情况下,如图1a所示,上述OLED显示装置具有多个像素单元10,其中相邻两个像素单元(A和B)之间的距离为0.85μm左右,每个像素单元10的宽度为4.35μm。
基于此,如图1b所示,上述相邻两个像素单元10中OLED器件的阳极之间会产生寄生电容CAnode。这样一来,当只需要点亮像素单元A,而像素单元B需要完全关断时,由于像素单元B受到上述寄生电容CAnode的耦合作用而发光,如图1c所示,像素单元B中的OLED器件施加有电压,从而产生串扰现象,降低显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及显示装置,用于降低相邻两个像素中,OLED器件的阳极之间产生的寄生电容造成显示串扰现象的发生几率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本申请实施例的一方面,提供一种显示面板,包括多个像素单元;所述显示面板还包括驱动背板,所述驱动背板上具有多个第一电极;所述第一电极与所述像素单元一一对应;所述显示面板还包括与所述第一电极异层且绝缘设置的辅助电极;所述第一电极和所述辅助电极分别在所述衬底基板上的正投影具有交叠面积;所述第一电极和与该第一电极相对应的像素单元的像素电路电连接;所述辅助电极与辅助电压端电连接。
可选的,所述显示面板包括多个所述辅助电极;每个所述辅助电极与一个所述第一电极分别在所述衬底基板上的正投影具有交叠面积。
可选的,所述显示面板包括多个所述辅助电极;相邻两个像素单元中的第一电极分别和同一个所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影具有交叠面积。
可选的,相邻的两个所述辅助电极分别与同一个所述第一电极在所述衬底基板上的正投影具有交叠面积。
进一步可选的,任意相邻两个所述辅助电极间隔设置。
进一步可选的,所有所述辅助电极为一体结构,构成覆盖所述驱动背板靠近所述第一电极一侧的辅助材料层;所述辅助材料层上设置有第一过孔,所述第一电极通过所述第一过孔与所述像素电路相连接。
可选的,所述驱动背板还包括像素界定层;所述像素界定层包括交叉的挡墙;所述第一电极和所述辅助电极之间具有间隔绝缘层,且所述间隔绝缘层位于所述挡墙靠近所述衬底基板的一侧。
进一步可选的,相邻的至少三个像素单元中的间隔绝缘层的厚度不同。
进一步可选的,构成所述间隔绝缘层的材料包括二氧化硅、氮化硅中的至少一种。
可选的,所述驱动背板还包括像素界定层;所述像素界定层包括交叉的挡墙,所述挡墙交叉围设成多个开孔;在每个所述辅助电极与一个所述第一电极分别在所述衬底基板上的正投影具有交叠面积的情况下,所述开孔内至少设置有所述第一电极和所述辅助电极,所述第一电极通过所述开孔底部的第二过孔与所述像素电路电连接。
可选的,所述显示面板还包括第二电极,以及设置于所述开孔内,且位于所述第二电极和所述第一电极之间的有机发光层;其中,相邻的至少三个开孔中所述有机发光层的发光颜色不同;或者,每个所述开孔中所述有机发光层的发光颜色均为白色。
进一步可选的,在每个所述开孔中所述有机发光层的发光颜色均为白色的情况下,所述显示面板还包括位于所述有机发光层背离所述衬底基板一侧的彩色滤光层。
可选的,所述驱动背板还包括信号引线;所述辅助电极通过所述信号引线与所述辅助电压端电连接。
可选的,所述辅助电压端为公共电压端。
本申请实施例的另一方面,提供一种显示装置,包括如上所述的任意一种显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的