[发明专利]量子点发光二极管和包括其的量子点显示装置

说明书

提供了量子点(QD)发光二极管和包括其的量子点显示装置。该QD发光二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；QD发光材料层，其在第一电极与第二电极之间；以及半导体棒，其用作QD发光材料层中的空穴传输路径，其中，所述半导体棒设置成相对于QD发光材料层的上表面和下表面中的至少之一倾斜。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月1日在韩国提交的韩国专利申请第10-2016-0144575号的优先权和权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及量子点(QD)发光二极管，更具体地，涉及具有优异的空穴传输特性的QD发光二极管和包括其的QD显示装置。

背景技术

近来，随着社会正式进入信息时代，将各种电信号呈现为视觉图像的显示装置的领域已经得到快速开发。例如，已经引入了诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示器(FED)装置以及有机发光二极管(OLED)装置的平板显示装置。

另一方面，已经研发或研究了将量子点(QD)用于显示装置。在QD中，处于不稳定状态的电子从导带(conduction band)跃迁至价带(valence band)，使得发出光。由于QD具有高的消光系数和优异的量子效率(quantum yield)，因此从QD发出强的荧光。此外，由于来自QD的光的波长受QD的尺寸控制，所以可以通过控制QD的尺寸来发出全部可见光。

图1是示出相关技术的QD发光二极管的示意图。

如图1所示，QD发光二极管10包括第一电极20、面对第一电极20的第二电极80、设置在第一电极20与第二电极80之间的QD发光材料层(EML)50、位于第一电极20与QD EML 50之间的空穴注入层(HIL)30和空穴传输层(HTL)40、以及定位在QD EML 50与第二电极80之间的电子传输层(ETL)60和电子注入层(EIL)70。

例如，第一电极20用作阳极，并且第二电极80用作阴极。

QD EML 50包括多个量子点。

在QD发光二极管10中，来自第一电极20的空穴通过HIL 30和HTL 40传输至QD EML50中，并且来自第二电极80的电子通过EIL 70和ETL 60传输至QD EML 50中。

由于QD具有高的量子效率，因此期望QD发光二极管10也提供高的发光效率。然而，相关技术的QD发光二极管10没有提供期望的发光效率。

发明内容

因此，本公开内容涉及一种QD发光二极管和包括其的QD显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题，并且具有其它优点。

本公开内容中的QD发光二极管和QD显示装置具有优异的空穴传输特性。

本公开内容中的QD发光二极管和QD显示装置具有优异的发光效率。

本公开内容的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中明显，或者可以通过本公开内容的实践来获知。本公开内容的目的和其他优点将通过书面说明书和其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

本公开内容的一个方面是量子点(QD)发光二极管，其包括：彼此面对的第一电极和第二电极；QD发光材料层，其在第一电极与第二电极之间；以及半导体棒，其用作QD发光材料层中的空穴传输路径，其中，所述半导体棒设置成相对于QD发光材料层的上表面和下表面中的至少之一倾斜。