[发明专利]声表面滤波器的晶圆封装结构和制作工艺

权利要求书

1.一种声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，提供晶圆作为基体(1)，先在基体(1)正面沉积绝缘层(2)，然后在基体(1)正面的绝缘层(2)上沉积压电材料(3)；接着在压电材料(3)上制作输入输出端口(4)；

步骤S2，在基体(1)正面采用粘胶(5)将输入输出端口(4)覆盖，各处的粘胶(5)厚度一致；

将盖板(6)键合至基体(1)正面，盖板(6)压在粘胶(5)之上；盖板(6)与基体(1)正面的压电材料(3)之间形成空腔(7)；然后将基体(1)减薄到所需厚度；

步骤S3，在基体(1)背面输入输出端口(4)的下方刻蚀斜坡(8)，形成漏斗形开口(801)；

步骤S4，通过所述漏斗形开口(801)，对基体(1)正面的绝缘层(2)和压电材料(3)进行刻蚀，形成通到输入输出端口(4)的盲孔(9)；

步骤S5，先在盲孔(9)侧壁、斜坡(8)上和基体(1)背面沉积绝缘层(2)和种子层，然后电镀金属线路(10)；金属线路(10)连接基体(1)正面的输入输出端口(4)，并通过斜坡(8)延伸至基体(1)背面；

然后在盲孔(9)中、斜坡(8)上和基体(1)背面制作覆盖金属线路(10)的背面钝化层(11)；

并在基体(1)背面的背面钝化层(11)上形成开口，开口处制作与金属线路(10)连接的封装电连接单元(12)。

2.如权利要求1所述的声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，

步骤S1中，输入输出端口(4)采用电镀、或溅射、或印刷工艺制作，材料为金属。

3.如权利要求1所述的声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，

盖板(6)材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属材料。

4.如权利要求1所述的声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，

步骤S5之后还包括：

步骤S6，最后将晶圆基体切割成单个声表面滤波器；切割时，保持输入输出端口(4)外侧的边缘被粘胶(5)覆盖。

5.一种声表面滤波器的晶圆封装结构，包括基体1，其特征在于，

基体(1)的正面设有绝缘层(2)，基体(1)正面的绝缘层(2)上沉积有压电材料(3)；在压电材料(3)上制作有输入输出端口(4)；输入输出端口(4)被基体(1)正面设置的粘胶(5)包覆；盖板(6)键合至基体(1)正面，盖板(6)压在粘胶(5)之上；盖板(6)与基体(1)正面的压电材料(3)之间形成空腔(7)；

基体(1)的背面形成有斜坡(8)，且形成通到输入输出端口(4)的盲孔(9)；在盲孔(9)侧壁、斜坡(8)上和基体(1)背面沉积有绝缘层(2)和种子层；在种子层上电镀有金属线路(10)，金属线路(10)连接基体(1)正面的输入输出端口(4)，并通过斜坡(8)延伸至基体(1)背面；

在盲孔(9)中、斜坡(8)上和基体(1)背面制作有覆盖金属线路(10)的背面钝化层(11)；

并在基体(1)背面的背面钝化层(11)上形成开口，开口处制作与金属线路(10)连接的封装电连接单元(12)。

6.如权利要求5所述的声表面滤波器的晶圆封装结构，其特征在于，

各处的粘胶(5)厚度一致。

7.如权利要求5所述的声表面滤波器的晶圆封装结构，其特征在于，

盖板(6)材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属材料。

8.如权利要求5所述的声表面滤波器的晶圆封装结构，其特征在于，

封装电连接单元(12)采用焊球。