[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

浮栅结构，位于所述衬底上，其中所述浮栅结构包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层具有不同的掺杂类型；

控制栅，隔离地设置于所述浮栅结构上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层接触的界面上沿堆叠方向形成有耗尽区，所述耗尽区向所述第一掺杂层扩散的厚度小于所述第一掺杂层的厚度，所述耗尽区向所述第二掺杂层扩散的厚度小于所述第二掺杂层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述不同的掺杂类型选自P和As组成的组，或所述不同的掺杂类型选自In和Tl组成的组。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂浓度均大于1e14atom/cm³。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述衬底和所述浮栅结构之间还形成有隧穿氧化物层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括嵌于所述衬底中的隔离结构，其中所述隔离结构的顶部表面高于所述衬底的表面，所述隔离结构沿水平方向的至少一侧设置有所述浮栅结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述浮栅结构和所述控制栅之间还形成有隔离层。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成浮栅结构，其中所述浮栅结构包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层具有不同的掺杂类型；

在所述浮栅结构上隔离地形成控制栅。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的方法包括：

在所述衬底上形成浮栅材料层；

对所述浮栅材料层进行第一离子注入步骤，以形成所述第一掺杂层；

对所述浮栅材料层进行第二离子注入步骤，以在所述浮栅材料层的顶部形成所述第二掺杂层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述浮栅材料层的厚度为300埃-600埃。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述浮栅结构之前所述方法还包括：

在所述衬底中形成嵌于所述衬底中的隔离结构，其中所述隔离结构的顶部表面高于所述衬底的表面；

在所述衬底的表面上形成隧穿氧化物层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述第二掺杂层之后所述方法还进一步包括平坦化所述浮栅材料层至所述隔离结构顶部的步骤。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述隔离结构的方法包括：

在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化物层；

刻蚀所述垫氮化物层、所述垫氧化层和所述衬底，以形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充隔离材料层，所述隔离材料层的表面与所述垫氮化物层的表面平齐；

去除所述氮化物层和所述垫氧化层，以露出所述衬底。

14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂层为N型掺杂，所述第二掺杂层为P型掺杂；

或者所述第一掺杂层为P型掺杂，所述第二掺杂层为N型掺杂。

15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述控制栅之前所述方法包括在所述浮栅结构上形成隔离层的步骤。

16.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至7之一所述的半导体器件。