[发明专利]一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法

权利要求书

1.一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：将多孔过渡金属氧化物薄膜及其基体放入量子点原液中，经过较长时间的浸泡，量子点材料充分浸入金属氧化物薄膜的孔隙内；取出后用正己烷冲洗，再浸泡到量子点原液中，再用正己烷冲洗，重复若干次，确保量子点材料在过渡金属氧化物孔隙内均匀填充且结合紧密，然后经过干燥，得到金属氧化物/量子点体异质结，将其应用到发光二极管中，二极管设有透明导电电极的玻璃基底、空穴注入与传输层，过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层、电子注入与传输层、金属对电极；电极、电子注入与传输层、过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光层、空穴注入与传输层、ITO透明电极、玻璃基底由上向下依次连接，电极位于顶部，玻璃基底位于底部，电源正极穿透玻璃基底与导电玻璃相连接，电源负极与电极相连接。

2.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：过渡金属氧化物为的HOMO能级在-4.6~-5.3eV左右。

3.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：过渡金属氧化物为能级较高的HOMO能级的NiO、V2O5、WO3金属氧化物，厚度为1-100nm。

4.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层结构中的量子点为无机半导体纳米材料，如CdSe/CdS/ZnS量子点，厚度为1-100nm。

5.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：电极由Al或Ag或AL/Ag构成，所形成的电极材料的厚度约为1-150nm。

6.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：电子注入与传输层由无机氧化物ZnO（ZnMgO）或TiO2构成，厚度为1-100nm。

7.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：空穴注入与传输层由poly-TPD、或PVK、或TFB、或聚对苯撑乙烯(PPV)类、或聚噻吩类、或聚硅烷类、或三苯甲烷类构成，厚度为1-100nm。

8.根据权利要求1所述的一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：导电玻璃为ITO导电玻璃、或FTO玻璃、或PET/ITO导电玻璃，厚度为1-200nm。

9.如权利要求1所述过渡金属氧化物/量子点体异质结发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）制备空穴注入与传输层：将空穴注入与传输层依次旋涂在已清洗干净的有透明电极的导电基底上，干燥成膜，即为空穴注入与传输层；

2）制备过渡金属氧化物骨架：将过度金属氧化物溶胶旋涂到芯片上，加热烘干即可得过渡金属氧化物骨架薄膜；

3）制备过渡金属氧化物/量子点体异质结：将多孔过渡金属氧化物薄膜及其基体放入量子点原液中，经过较长时间的浸泡，量子点材料充分浸入金属氧化物薄膜的孔隙内；取出后用正己烷冲洗，再浸泡量子点原液，再用正己烷冲洗，重复若干次，确保量子点材料在过渡金属氧化物孔隙内均匀填充且结合紧密，然后经过干燥，得到金属氧化物/量子点体异质结；

4）在烘干后的片子上旋涂电子传输层，烘干即得电子传输层；

5）将制得的片子放在真空蒸镀箱中，蒸镀金属对电极。