[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器有效

专利信息
申请号: 201711007372.7 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN108011039B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 自旋 轨道 转矩 磁化 反转 元件 磁存储器
【权利要求书】:

1.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:

铁磁性金属层,其磁化方向变化;

自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及

界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,

所述自旋轨道转矩配线和所述界面应变供给层的晶格不匹配度为5%以上。

2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线和所述界面应变供给层的晶格不匹配度为5%以上且10%以下。

3.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构,

所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。

4.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构,

所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。

5.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构,

所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。

6.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构,

所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。

7.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线具有hcp结构,

所述界面应变供给层具有刚玉结构。

8.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述自旋轨道转矩配线具有hcp结构,

所述界面应变供给层具有刚玉结构。

9.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:

铁磁性金属层,其磁化方向变化;

自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及

界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,

所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构,

所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。

10.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:

铁磁性金属层,其磁化方向变化;

自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及

界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,

所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构,

所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。

11.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:

铁磁性金属层,其磁化方向变化;

自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及

界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,

所述自旋轨道转矩配线具有hcp结构,

所述界面应变供给层具有刚玉结构。

12.根据权利要求1~11中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述界面应变供给层为绝缘体。

13.根据权利要求1~11中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,

所述界面应变供给层为厚度1nm以下的导体。

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