[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器有效
申请号: | 201711007372.7 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN108011039B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自旋 轨道 转矩 磁化 反转 元件 磁存储器 | ||
1.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:
铁磁性金属层,其磁化方向变化;
自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及
界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,
所述自旋轨道转矩配线和所述界面应变供给层的晶格不匹配度为5%以上。
2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线和所述界面应变供给层的晶格不匹配度为5%以上且10%以下。
3.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构,
所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。
4.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构,
所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。
5.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构,
所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。
6.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构,
所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。
7.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线具有hcp结构,
所述界面应变供给层具有刚玉结构。
8.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述自旋轨道转矩配线具有hcp结构,
所述界面应变供给层具有刚玉结构。
9.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:
铁磁性金属层,其磁化方向变化;
自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及
界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,
所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构,
所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。
10.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:
铁磁性金属层,其磁化方向变化;
自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及
界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,
所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构,
所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。
11.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件,其具有:
铁磁性金属层,其磁化方向变化;
自旋轨道转矩配线,其与所述铁磁性金属层接合;以及
界面应变供给层,其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合,
所述自旋轨道转矩配线具有hcp结构,
所述界面应变供给层具有刚玉结构。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述界面应变供给层为绝缘体。
13.根据权利要求1~11中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件,其中,
所述界面应变供给层为厚度1nm以下的导体。
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