[发明专利]GaN基单片集成式半桥电路

权利要求书

1.GaN基单片集成式半桥电路，包括第一GaN HEMT器件、第二GaN HEMT器件和二极管，所述第一GaN HEMT器件为增强型器件；其特征在于，所述的第一GaN HEMT器件、第二GaN HEMT器件和二极管集成在同一GaN基上；其结构为：

设定器件的剖面图为由横向方向和垂直方向构成的平面，则沿垂直方向，从下至上依次包括：

衬底、GaN层、位于GaN层上的有源区；

沿横向方向，从器件一端到另一端依次包括：

二极管的阴极、二极管的阳极、第一GaN HEMT器件的源极、第二GaN HEMT器件的源极、第二GaN HEMT器件的漏极、第一GaN HEMT器件的漏极；其中，所述的第一GaN HEMT器件的源极和第一GaN HEMT器件的漏极之间具有AlGaN层，AlGaN层下方的GaN基上层形成二维电子气沟道，AlGaN层上具有第一GaN HEMT器件的栅极；所述的第二GaN HEMT器件的源极和第二GaN HEMT器件的漏极之间具有AlGaN层，AlGaN层下方的GaN基上层形成二维电子气沟道，AlGaN层上具有第二GaN HEMT器件的栅极；并且第二GaN HEMT器件的漏极和第一GaN HEMT器件的源极之间具有间距；

其中，第一GaN HEMT器件的源极、第二GaN HEMT器件的漏极与二极管的阴极电气连接，第二GaN HEMT器件的源极与二极管的阳极电气连接。