[发明专利]一种用于生长钼酸锶晶体的方法有效
| 申请号： | 201710991667.6 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107723796B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李凌云;王国强;于岩;潘坚福;杨志锋 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G02B1/02 | 分类号： | G02B1/02;C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350116 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 钼酸 晶体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于生长SrMoO4 晶体的方法，其特征在于，采用顶部籽晶助熔剂法制备SrMoO4晶体，所用助熔剂为Na2MoO4+B2O3或K2MoO4+B2O3的复合助熔剂；在上述两种复合助熔剂体系中，Na2MoO4或K2MoO4与B2O3的摩尔比为4:1；当用SrMoO4-Na2MoO4-B2O3体系来生长SrMoO4 晶体时，溶质SrMoO4的摩尔百分比为25%-10%，晶体生长温度区间为990℃-880℃，降温速率为0.5-5℃/天，晶转速率为5-60rpm；当用SrMoO4-K2MoO4-B2O3体系来生长SrMoO4 晶体时，溶质SrMoO4的摩尔百分比为25%-10%，晶体生长温度区间为1050℃-850℃，降温速率为0.5-5℃/天，晶转速率为5-60rpm。
2.根据权利要求1所述的一种用于生长SrMoO4 晶体的方法，其特征在于，SrMoO4的原料为SrCO3和MoO3，K2MoO4的原料为K2CO3和MoO3，Na2MoO4的原料为Na2CO3和MoO3，B2O3来源于H3BO3。
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