[发明专利]采用双面集成的可编程门阵列在审
| 申请号： | 201710980989.0 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698693A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 计算单元 可编程 可编程门阵列 衬底 可编程逻辑单元 可编程逻辑芯片 可编程连接 存储阵列 基本函数 查找表 电耦合 单芯 可写 半导体 背面 穿透 存储 芯片 | ||
1.一种可编程门阵列(400)，其特征在于含有：
一含有两个表面的半导体衬底(0)，该两个表面包括一正面(0F)和一反面(0B)；
多个可编程计算单元(100, 100AA-100AD)，该可编程计算单元(100)含有至少一可写存储阵列(110)，该可写存储阵列(110)存储一基本函数的至少部分查找表（LUT）；
多个可编程逻辑单元(200, 200AA-200AD)，该可编程逻辑单元(200)从一逻辑运算库中选择性地实现一种逻辑运算；
多个将该可编程计算单元(100AA-100AD)和该可编程逻辑单元(200AA-200AD)选择性耦合的可编程连接(300)；
通过对该可编程计算单元(100AA-100AD)、该可编程逻辑单元(200AA-200AD)和该可编程连接(300)进行编程以实现一复杂函数，该复杂函数是所述基本函数的一种组合；
所述可编程计算单元(100, 100AA-100AD)和所述可编程逻辑单元(200, 200AA-200AD)分别形成在该半导体衬底(0)的不同表面，并通过多个穿透衬底连接(160)电耦合。
2.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：至少部分所述可编程连接(300)位于所述正面(0F)。
3.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：至少部分所述可编程连接(300)位于所述背面(0B)。
4.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该可写存储阵列(110)为RAM。
5.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该可写存储阵列(110)为ROM。
6.根据权利要求5所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：所述ROM为一次编程存储器(OTP)。
7.根据权利要求5所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：所述ROM为多次编程存储器(MTP)。
8.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该穿过衬底连接(160)为穿透硅片通道（TSV）。
9.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：其使用过程包括一设置阶段(610)，在该阶段根据用户需要将一函数的LUT加载到可写存储阵列(110)中。
10.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：其使用过程包括一使用阶段(630)，在该阶段查找该LUT来获得该函数的值。
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