[发明专利]一种用于柔性TFT制备的复合基板及柔性面板的制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种用于柔性TFT制备的复合基板，包括硬质基板，以及依次层叠设置在所述硬质基板上的光热转换层和柔性基板层。该复合基板通过在现有常规基板的柔性PI层与玻璃之间增设一层光热转换层，该光热转换层可阻挡激光透过玻璃直接照射到柔性基板层，同时可将激光的光能转换为热能，使热能均匀化，从而能有效避免由于局部高热导致柔性基板层破孔，以及避免激光穿透柔性基板层或通过柔性基板层破孔对TFT结构造成的伤害。本发明还提供了一种柔性面板的制备方法。

技术领域

本发明涉及柔性显示器技术领域，特别是涉及一种用于柔性TFT制备的复合基板及柔性面板的制备方法。

背景技术

目前，柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器将逐步发展成为下一代主流显示器。作为柔性显示器，其以一层由聚酰亚胺为主要成分制备的PI层为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)和OLED结构的柔性基板，且在这类柔性OLED显示器的制备过程中，通常涉及LLO(Laser Lift Off，激光剥离)工艺，LLO工艺通常采用343nm的激光照射到玻璃基板，激光透过玻璃基板使靠近玻璃基板一侧的一层PI融化从而实现玻璃基板的剥离，而在该工艺过程中，PI层通常会由于局部高热被击穿，且激光可能穿透PI层对TFT结构产生伤害，从而影响器件整体质量和性能。

因此，有必要提供一种用于柔性TFT制备的基板，其能够在LLO工艺过程中，避免PI层被击穿，避免TFT结构受到激光的伤害。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供一种用于柔性TFT制备的复合基板，其能够在显示器件制备过程中有效防止激光对PI层和TFT结构造成热损伤。

第一方面，本发明实施例提供了一种用于柔性TFT制备的复合基板，包括硬质基板，以及依次层叠设置在所述硬质基板上的光热转换层和柔性基板层。

其中，所述光热转换层包括无机层和/或有机层，所述无机层的材质包括铝、钼、及其氧化物或硫化物，所述有机层的材质包括红外反射有机颜料。

所述柔性基板层的材质为PI树脂或改性PI树脂。

本发明实施例提供的用于柔性TFT制备的复合基板，通过在现有常规基板的柔性PI层与玻璃之间增设一层光热转换层，该光热转换层可阻挡激光透过玻璃直接照射到柔性基板层，同时可将激光的光能转换为热能，使热能均匀化，从而能有效避免由于局部高热导致柔性基板层破孔，以及避免激光穿透柔性基板层或通过柔性基板层破孔对TFT结构造成的伤害。

第二方面，本发明实施例提供了一种柔性面板的制备方法，包括以下步骤：

提供硬质基板；

采用化学或物理的方式在所述硬质基板上制备光热转换层；

在所述光热转换层上制备柔性基板层；

在所述柔性基板层上制备TFT；

在所述TFT上制备发光功能层；

采用激光剥离工艺将所述硬质基板和所述光热转换层剥离，得到柔性面板。

所述光热转换层包括无机层和/或有机层，所述无机层的材质包括铝、钼、及其氧化物或硫化物，所述有机层的材质包括红外反射有机颜料。

采用化学气相沉积、物理气相沉积、磁控溅射、蒸镀或涂覆的方式制备所述光热转换层。

所述光热转换层的厚度为30-60μm。

所述光热转换层包括交替层叠设置的多层所述无机层和多层所述有机层。

所述柔性基板层的材质为PI树脂或改性PI树脂。

所述柔性基板层的厚度为10-50μm。