[发明专利]一种LED芯片的光刻结构制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的光刻结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

第一步：在GaAs基板上制备发光二极管外延片；

第二步：在外延层上制作金属层；

第三步：在金属层上涂布光刻胶层；

第四步：采用光刻版作为掩膜，对光刻胶层进行曝光，得到所需要的光刻胶图形，

其中，光刻版是按照预先设定的芯片电极图形和芯片面积的需要进行定制；

第五步：对经过曝光的光刻胶层进行显影；

第六步：蚀刻带有光刻胶电极图形的金属层；

第七步：去除光刻胶层，得到一致分布的金属电极图形。

2.如权利要求1所述的一种LED芯片的光刻结构制作方法，其特征在于：所述第四步中使用的光刻版的芯片面积一样，但芯片电极图形的尺寸不同，呈同心圆分布，由内向外的芯片电极尺寸逐级变化。

3.如权利要求2所述的一种LED芯片的光刻结构制作方法，其特征在于：所述电极尺寸变化范围为直径逐级增加0.5μm～2μm。