[发明专利]FET和形成FET的方法

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，包括：

形成衬底的凸起部分；

在所述衬底的凸起部分上形成鳍；

围绕所述鳍形成隔离区域，所述隔离区域的第一部分位于邻近的所述鳍之间的所述衬底的凸起部分的顶面上；

在所述鳍上方形成栅极结构；以及

在所述栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域，其中，形成所述源极/漏极区域包括：

在邻近所述栅极结构的所述鳍上外延生长第一外延层；

回蚀刻所述第一外延层；

在蚀刻的第一外延层上外延生长第二外延层；和

回蚀刻所述第二外延层，蚀刻的第二外延层填充所述鳍的顶部附近的鳍内区并且具有非小平面式顶面和小平面式表面的侧面，所述侧面的每个均具有非垂直和非平行于所述衬底的主表面的两个小平面和垂直于所述衬底的主表面的另一小平面，所述蚀刻的第一外延层和所述蚀刻的第二外延层形成所述源极/漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将至少一个所述源极/漏极区域与所述隔离区域的第一部分分隔开的气隙。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述栅极结构的侧壁上形成栅极密封间隔件，所述栅极密封间隔件的第一部分位于所述隔离区域的第一部分和所述气隙之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述源极/漏极区域还包括：

使所述栅极结构的外部的所述鳍凹进至具有位于所述隔离区域的顶面之下的顶面；以及

从所述栅极结构的相对侧上的凹进的鳍外延生长所述第一外延层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一外延层和所述第二外延层均包括硅磷(SiP)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在具有第一温度和第一压力的环境中实施回蚀刻所述第一外延层和回蚀刻所述第二外延层，所述第一温度在从650℃至800℃的范围内并且所述第一压力在从1托至50托的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，回蚀刻所述第一外延层和回蚀刻所述第二外延层包括用盐酸蚀刻所述第一外延层和所述第二外延层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在邻近所述栅极结构的所述鳍上外延生长所述第一外延层之后并且在回蚀刻所述第一外延层之前，所述第一外延层的顶面具有第一小平面，其中，回蚀刻所述第一外延层去除所述第一小平面使得蚀刻的所述第一外延层具有第一非小平面式顶面，在蚀刻的第一外延层上外延生长的所述第二外延层至少覆盖所述第一外延层的所述非小平面式顶面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一小平面具有(111)晶向。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在回蚀刻所述第一外延层之后，所述蚀刻的第一外延层的顶面低于鳍区中以及邻近的所述鳍之间的区中的所述鳍的顶面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在回蚀刻所述第二外延层之后，所述蚀刻的第二外延层的所述非小平面式顶面高于所述鳍区中以及邻近的所述鳍之间的所述区中的所述鳍的顶面。