[发明专利]一种发光陶瓷釉面砖及其制备方法

权利要求书

1.一种发光陶瓷釉面砖，其特征在于：自下而上包括坯体层、底釉层、花釉层、发光层和抛釉层，所述发光层由颗粒细度为80～120目的发光粉组成；

所述发光粉为稀土激活剂掺杂基材材料，所述基材材料选自Sr₄A1₄O₂₅、SrAl₂O₄、Sr₂MgSi₂O₇、CaA1₂O₄、CaTiO₃中的至少一种；

所述底釉层按原料重量百分比计包括如下化学组分：68％的SiO₂、22％的Al₂O₃、0.1％的Fe₂O₃、0.3％的TiO₂、1.5％的CaO、1.5％的MgO、3％的K₂O、2％的Na₂O、0.1％的ZrO₂、0.5％的ZnO；

所述抛釉层按原料重量百分比计包括如下化学组分：45％的SiO₂、8％的Al₂O₃、0.1％的Fe₂O₃、0.1％的TiO₂、10％的CaO、4.5％的MgO、2％的K₂O、2.5％的Na₂O、0.15％的ZrO₂、9％的ZnO。

2.根据权利要求1所述的一种发光陶瓷釉面砖，其特征在于：所述坯体层按原料重量百分比计包括如下化学组分：67％的SiO₂、21％的Al₂O₃、1％的Fe₂O₃、0.4％的TiO₂、0.5％的CaO、0.3％的MgO、3％的K₂O、3％的Na₂O。

3.一种如权利要求1或2所述的发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1)通过配料、球磨、过筛、喷雾造粒、陈腐、成型、干燥，得坯体层；

2)在步骤1)中的坯体层表面淋底釉，得底釉层；

3)在步骤2)中的底釉层表面印装饰图案，得花釉层；

4)在步骤3)中的花釉层表面布撒发光粉，的发光层；

5)在步骤4)中发热发光层表面喷抛釉，得抛釉层；

6)进窑烧成，烧成温度为1180～1230℃，烧成周期为50～70min，后经磨边、抛光，得发光陶瓷釉面砖成品。

4.根据权利要求3所述的一种发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于：步骤3)所述的印装饰图案选自喷墨打印或丝网印刷的至少一种。

5.根据权利要求3所述的一种发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于：步骤4)所述的布撒为采用60目丝网撒干粒的方式布施。

6.根据权利要求3所述的一种发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于：步骤5)所述喷抛釉的喷釉量为200～400g/m²。

7.根据权利要求3所述的一种发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于：所述抛光为采用弹性磨块进行柔抛处理。