[发明专利]一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法

权利要求书

1.一种激光溅射法制备CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

1.)制备CsPbBr₃靶材：采用溶液加热法定量混合DMF、DMSO、环己醇、PbBr₂、CsBr制备出足量的CsPbBr₃单晶粉末，用压片机压制后制成CsPbBr₃靶材；

2.)将干净的衬底与制备好的CsPbBr₃靶材共同放入脉冲激光沉积腔体中，抽真空，加热衬底，同时调节入射腔体激光的能量，随后设定激光脉冲数开始沉积；

3.)沉积结束后，衬底在腔体内保持加热温度真空退火后取出，得到CsPbBr₃薄膜；

所述溶液加热法定量混合DMF、DMSO、环己醇、PbBr₂、CsBr制备出足量的CsPbBr₃单晶粉末，室温下利用压片机制成靶材，其中DMSO、CsBr、PbBr₂、环己醇、DMF的加入量为：

DMSO:CsBr:PbBr₂:环己醇:DMF＝(20-35):(0.5-1.5):(1-3):(5-8):(12-20)。

2.据权利要求1所述的激光溅射法制备CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述调节入射腔体激光的能量，是指将入射腔体激光的能量调节至50mJ-400mJ，CsPbBr₃薄膜的厚度通过激光能量和脉冲数进行精确控制。

3.据权利要求1所述的激光溅射法制备CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述的抽真空，是指抽真空至压强为1×10^-2Pa以下。

4.据权利要求1所述的激光溅射法制备CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述的衬底加热，是指温度范围为100℃-250℃。

5.据权利要求1所述的激光溅射法制备CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述的真空退火时间为5-30分钟。