[发明专利]熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法在审
| 申请号： | 201710924274.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107721196A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 戴一帆;石峰;徐明进;周林;廖文林 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;B24B13/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 张鲜 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石英 元件 表面 化学 结构 缺陷 去除 方法 | ||
1.一种熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，包括以下步骤：
对熔石英元件表面进行Ar离子束溅射处理，Ar离子束能量为800～1000eV；Ar离子束流密度为10～20mA/cm2；Ar离子束入射角度为0°；抛光方式为大束径均匀去除；抛光去除深度为500～800nm，以去除熔石英元件表面的化学结构缺陷。
2.根据权利要求1所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，还包括，Ar离子束溅射处理后，熔石英元件表面不与水接触。
3.根据权利要求1或2所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，Ar离子束溅射处理前，所述熔石英元件表面的初始状态为：表面不存在抛光水解层，表面粗糙度≤1nm RMS。
4.根据权利要求3所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，Ar离子束溅射处理前，所述熔石英元件表面依次经过精抛光、HF酸刻蚀、超声清洗和脱水处理，获得所述初始状态。
5.根据权利要求4所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，所述精抛光中，磨料为粒径小于1μm的氧化铈，精抛光过程中加载载荷为0bar，抛光时间为90～120min。
6.根据权利要求5所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，所述HF酸刻蚀中，HF酸溶液浓度为5％～10％，刻蚀处理时间为60～120min。
7.根据权利要求6所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，所述HF酸刻蚀过程中加入兆声振动。
8.根据权利要求4～7任一项所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，所述超声清洗中，超声功率为1.3MHz，清洗时间为30min。
9.根据权利要求8所述的熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，其特征在于，所述脱水处理介质为无水乙醇。
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