[发明专利]一种旋涂法制备氧化铝‑氧化锆叠层电介质的方法在审
| 申请号： | 201710897401.5 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107785254A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 彭俊彪;魏靖林;宁洪龙;姚日晖;蔡炜;朱镇南;陶瑞强;陈建秋;杨财桂;周艺聪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 法制 氧化铝 氧化锆 电介质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)将九水合硝酸铝和八水氧氯化锆分别溶于乙二醇甲醚中，得到铝和锆的前驱体溶液；
(2)将铝和锆的前驱体溶液先后旋涂于经预处理后的衬底上，然后在300～500℃下退火处理1～2h，得到氧化铝-氧化锆叠层电介质。
2.根据权利要求1所述的一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法，其特征在于：重复步骤(2)的旋涂及退火处理过程，得到多层结构的Al2O3-ZrO2叠层电介质。
3.根据权利要求1所述的一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法，其特征在于：步骤(1)中所述前驱体溶液中，硝酸铝或氯化锆的浓度为0.1～0.4mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法，其特征在于：步骤(2)中所述预处理是指依次经清洗、干燥和氧气氛围的等离子表面亲水处理。
5.根据权利要求4所述的一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法，其特征在于：所述等离子表面亲水处理的时间为10min。
6.根据权利要求1所述的一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法，其特征在于：步骤(2)中所述退火处理的温度为400℃，时间为1h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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