[发明专利]电子设备及其启动方法在审
申请号: | 201710885558.6 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107479938A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 王祎磊 | 申请(专利权)人: | 北京忆芯科技有限公司 |
主分类号: | G06F9/445 | 分类号: | G06F9/445 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙)11572 | 代理人: | 段宇 |
地址: | 100085 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 及其 启动 方法 | ||
技术领域
本申请涉及电子设备,具体地,在电子设备启动时从电子设备的NAND闪存中加载固件。
背景技术
图1是现有技术的固态存储设备的框图。固态存储设备102同主机相耦合,用于为主机提供存储能力。主机同固态存储设备102之间可通过多种方式相耦合,耦合方式包括但不限于通过例如SATA(Serial Advanced Technology Attachment,串行高级技术附件)、SCSI(Small Computer System Interface,小型计算机系统接口)、SAS(SerialAttached SCSI,串行连接SCSI)、IDE(Integrated Drive Electronics,集成驱动器电子)、USB(Universal Serial Bus,通用串行总线)、PCIE(Peripheral Component Interconnect Express,PCIe,高速外围组件互联)、NVMe(NVM Express,高速非易失存储)、以太网、光纤通道、无线通信网络等连接主机与固态存储设备102。主机可以是能够通过上述方式同固态存储设备相通信的信息处理设备,例如,个人计算机、平板电脑、服务器、便携式计算机、网络交换机、路由器、蜂窝电话、个人数字助理等。存储设备102包括接口103、控制部件104、一个或多个NVM芯片105、DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机访问存储器)110以及存储器112。
NAND闪存、相变存储器、FeRAM(Ferroelectric RAM,铁电存储器)、MRAM(Magnetic Random Access Memory,磁阻存储器)、RRAM(Resistive RandomAccess Memory,阻变存储器)等是常见的NVM。
接口103可适配于通过例如SATA、IDE、USB、PCIE、NVMe、SAS、以太网、光纤通道等方式与主机交换数据。
控制部件104用于控制在接口103、NVM芯片105以及固件存储器110之间的数据传输,还用于存储管理、主机逻辑地址到闪存物理地址映射、擦除均衡、坏块管理等。控制部件104可通过软件、硬件、固件或其组合的多种方式实现,例如,控制部件104可以是FPGA(Field-programmable gate array,现场可编程门阵列)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit,应用专用集成电路)或者其组合的形式;控制部件104也可以包括处理器或者控制器,在处理器或控制器中执行软件来操纵控制部件104的硬件来处理IO(Input/Output)命令;控制部件104还可以耦合到DRAM 110,并可访问DRAM 110的数据;在DRAM可存储FTL表和/或缓存的IO命令的数据。
在控制部件104中运行的软件和/或固件(下面统称为“固件”)被存储在存储器112和/或NVM芯片105。存储器112存储引导加载器(BootLoader)与设备配置信息。存储器112具有简单接口,例如SPI接口,使得未经充分配置的控制部件104可以访问存储器112。在固态存储设备102上电时,访问存储器112以获取引导加载器与配置信息,在使用引导加载器从将固件加载到DRAM 110和/或控制部件104内部的存储器中。可选地,通过接口103或调试接口接收并加载固件。
控制部件104包括闪存接口控制器(或称为介质接口控制器、闪存通道控制器),闪存接口控制器耦合到NVM芯片105,并以遵循NVM芯片105的接口协议的方式向NVM芯片105发出命令,以操作NVM芯片105,并接收从NVM芯片105输出的命令执行结果。NVM芯片105的接口协议包括“Toggle”、“ONFI”等现有技术的接口协议或标准。
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