[发明专利]电子设备及其启动方法在审
申请号: | 201710885558.6 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107479938A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 王祎磊 | 申请(专利权)人: | 北京忆芯科技有限公司 |
主分类号: | G06F9/445 | 分类号: | G06F9/445 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙)11572 | 代理人: | 段宇 |
地址: | 100085 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 及其 启动 方法 | ||
1.一种从NAND闪存引导电子设备的方法,包括:
向所述NAND闪存发出第一命令,使所述NAND闪存进入NV-DDR2模式或者Toggle DDR模式;
根据NV-DDR2模式的要求,使用读命令从所述NAND闪存的指定地址读取指定长度的数据;
从所读取的指定长度的数据中获取引导加载器;
运行所述引导加载器配置所述电子设备,并加载所述电子设备的固件。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
向所述NAND闪存发出第一命令前,识别所述NAND闪存的类型;
响应于所述NAND闪存是根据ONFI标准的闪存,所述第一命令使所述NAND闪存进入NV-DDR2模式。
3.根据权利要求2所述的方法,其中
响应于所述NAND闪存是根据Toggle标准的闪存,所述第一命令使所述NAND闪存进入Toggle-DDR2模式。
4.根据权利要求2所述的方法,其中
响应于所述NAND闪存是根据Toggle标准的闪存,所述第一命令不是述NAND闪存的有效命令。
5.根据权利要求2或4所述的方法,其中
响应于所述NAND闪存是根据Toggle标准的闪存,不向所述NAND闪存发出第一命令。
6.根据权利要求1-5之一所述的方法,还包括:
对所读取的指定长度的数据进行错误校正译码,以得到构成引导加载器的部分的数据。
7.根据权利要求1-6所述的方法,其中
所述电子设备上电后,访问所述NAND闪存前,不访问其他任何存储芯片。
8.根据权利要求1-7之一所述的方法,其中
所述固件根据所述引导加载器被存储在所述NAND闪存中的时间和/或所述引导加载器被读取的次数,擦除所述引导加载器,并将所述引导加载器重写入所述NAND闪存的所述指定地址。
9.根据权利要求1-8之一所述的方法,还包括:
响应于所述固件加载失败,从JTAG、UART或PCIe端口获取固件。
10.一种电子设备,包括控制部件与NAND闪存;
所述控制部件耦合搭配所述NAND闪存,所述NAND闪存中存储引导加载器与固件;
响应于上电,所述控制部件执行根据权利要求1-9之一所述的方法。
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