[发明专利]晶片的加工方法和研磨装置

说明书

提供晶片的加工方法和研磨装置，能够在进行了研磨之后迅速地转移到去疵层形成，能够加工出与设计一致的晶片。晶片的加工方法是使用研磨垫在晶片的背面上形成去疵层的方法，该方法包含如下工序：晶片保持工序(ST1)，将粘贴在晶片的正面上的BG带保持在卡盘工作台上；应变层去除工序(ST4)，一边对研磨垫提供研磨液一边使研磨垫和卡盘工作台旋转，并将应变层从晶片的背面去除；研磨液去除工序(ST5)，在实施了应变层去除工序(ST4)之后，从喷嘴朝向研磨垫提供冲洗液而将残留研磨液去除；以及去疵层形成工序(ST6)，一边对研磨垫和晶片提供不含磨粒的液一边使研磨垫和卡盘工作台旋转，并在晶片的背面上形成去疵层。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法和研磨装置。

背景技术

在电子器件制造工序中，通过呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线在作为大致圆板状的硅基板等的正面上划分出多个区域，在该各个区域中形成有IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(Large-Scale Integration：大规模集成电路)等器件。通过沿着间隔道对以这种方式形成有多个器件的晶片进行分割而形成各个器件。为了实现器件的小型化和轻量化，通常在将晶片沿着间隔道切断而分割出各个区域之前，对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度。

当对上述那样的晶片的背面进行磨削时，在器件的背面上生成由微裂纹构成的1μm左右的磨削应变层。并且，由于器件的抗折强度会因磨削应变层而降低，所以在对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，对晶片的背面实施研磨加工、蚀刻加工等，将在晶片的背面上生成的磨削应变层去除，防止器件的抗折强度降低。

另一方面，当背面的应变层被去除时，去疵效果降低而晶片的内部所含有的铜等金属离子向形成有器件的正面侧移动，从而可能会产生电流泄漏。为了解决这样的问题，进行在晶片的背面上形成磨削应变层(去疵层)的步骤。

但是，要想实施上述步骤，需要研磨构件和去疵层形成构件，存在装置结构变得复杂的问题。针对该问题点，在专利文献1中，提出了具有兼具研磨功能和去疵层形成功能的研磨垫的研磨装置(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2015-046550号公报

从提高生产性的观点来看，在进行了研磨后立即转移到去疵层形成，但由于在研磨后的研磨垫中含有研磨液，所以并不是马上进行去疵层的形成。此外，即使按照与设计一致的值完成了研磨，但由于含有研磨液的研磨垫与晶片接触，所以也可能超过设计值而使晶片受到侵蚀。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供晶片的加工方法和研磨装置，能够在研磨后迅速地转移到去疵层形成，能够加工出与设计一致的晶片。

为了解决上述的课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法使用具有莫氏硬度比晶片高的磨粒的研磨垫在晶片的背面上形成去疵层，在该晶片的正面上形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法包含如下的工序：晶片保持工序，在晶片的正面上粘贴保护部件，将保护部件侧保持在卡盘工作台的保持面上；应变层去除工序，一边对该研磨垫提供研磨液一边使该研磨垫旋转，并且一边使该卡盘工作台旋转一边通过该研磨垫对晶片的背面进行研磨，从而将应变层从晶片的背面去除；研磨液去除工序，在实施了该应变层去除工序之后，从喷嘴朝向该研磨垫提供冲洗液，将该研磨垫所含的残留研磨液去除；以及去疵层形成工序，一边对该研磨垫和晶片提供不含磨粒的液一边使该研磨垫旋转，并且一边使该卡盘工作台旋转一边通过该研磨垫对晶片的背面进行研磨，从而在背面上形成去疵层。

也可以一边使该卡盘工作台相对于该研磨垫水平移动一边进行所述去疵层形成工序。