[发明专利]分析试片及其制备方法与材料分析的方法

说明书

本发明实施例提供一种分析试片、分析试片的制备方法以及材料分析的方法。分析试片包括待测物。待测物为锥体。待测物的底部接着于载座上。待测物包括多个特征结构。多个特征结构沿着待测物的长轴排列。

技术领域

本发明实施例涉及一种分析试片、分析试片的制备方法以及材料分析的方法。

背景技术

随着半导体领域的发展，各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度持续提高。积体密度可以藉由缩减电子组件的特征大小(feature size)来实现。然而，特征尺寸的缩减却也提高了对电子组件进行取样与分析的困难度。

发明内容

本发明实施例的分析试片包括待测物。待测物为锥体。待测物的底部接着于载座上。待测物包括多个特征结构。多个特征结构沿着待测物的长轴排列。

本发明实施例的分析试片的制备方法包括下列步骤。移除部分的分析样品，以在分析样品的表面形成柱体，其中柱体具有连接部，连接部连接于分析样品的主体。将探针接着至柱体的连接部以外的部分。使柱体自分析样品的主体分离。旋转接着于柱体的探针，以使旋转后的柱体的长轴平行于载座的顶面的法线方向。使旋转后的柱体接着于载座的顶面上。使柱体与探针分离。移除部分的柱体，以形成待测物，其中待测物为锥体，待测物的底部接着于载座上。

本发明实施例的材料分析的方法包括下列步骤。提供分析试片，其中分析试片包括待测物，待测物为锥体，待测物的底部接着于载座上，待测物包括多个特征结构，多个特征结构沿着待测物的长轴排列。对待测物施加脉冲能量，使待测物的表面的原子离子化，并使所形成的离子行进至探测器，并藉由探测结果推算原子在待测物的表面的位置以及原子的成分。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是依照本发明一些实施例的分析试片的制备方法的流程图。

图2A至图2E是依照本发明一些实施例的分析试片的制备流程的示意图。

图3A与图3B是依照本发明一些实施例的具有导角的柱体的侧视示意图。

图3C是依照本发明另一些实施例的具有导角的柱体的侧视示意图。

图4A是依照本发明一些实施例的待侧物的立体示意图。

图4B是图4A的待测物的上部与底部的立体分解示意图。

图4C是图4B的待测物的底部的第二部分的放大立体示意图。

图5是依照本发明一些实施例的材料分析的方法的流程图。

图6是依照本发明一些实施例的材料分析系统的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作本发明的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及设置形式的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。