[发明专利]一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法

说明书

本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层，正面沉积氮化硅薄膜；在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜并激光开孔，进行丝网印刷和烧结。上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法，能够解决P型晶体硅正面钝化和金属化问题以及钝化接触结构中多晶硅薄膜的吸光问题，从而提高电池转换效率。

技术领域

本发明属于光伏设备技术领域，特别是涉及一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法。

背景技术

对于晶硅太阳能电池而言，与电池效率提升产生最直接关联的是器件的钝化和接触水平，因此表面钝化和接触特性的优化非常重要。现有的P型晶体硅电池在背面引入氧化铝膜层增强钝化，通过激光开孔增强金属接触形成PERC(Passivated emitter and rearcontact)电池后，P型晶体硅电池的量产效率实现了21％的突破。PERC背钝化技术有效地解决了P型晶体硅背面钝化和金属接触的问题，因此，前表面钝化和金属化优化对于效率进一步提升而言显得尤为重要。

钝化接触技术利用表面能带弯曲，大幅降低载流子在P型硅片的表面复合电流，同时利用隧穿薄膜隔绝金属与基底之间的直接接触，在减少复合损失的同时利用电子隧穿形成电流传递，从而保证电流传输通畅，同时满足了钝化和接触特性的两大要求。如果将该结构应用在P型电池正面，将可解决电池正面的钝化和金属接触问题，大幅提升P型晶体硅的输出电压。然而，满足载流子横向传输条件的钝化接触结构中的多晶硅薄膜具有很强的光吸收能力，这就会影响到电池的输出电流。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，能够解决P型晶体硅正面钝化和金属化问题以及钝化接触结构中多晶硅薄膜的吸光问题，从而提高电池转换效率。

本发明提供的一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：

对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；

对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层；

在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；

去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层，正面沉积氮化硅薄膜；

在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜并激光开孔，进行丝网印刷和烧结。

优选的，在上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法中，所述对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结为：

对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到方阻为50Ω/sq至150Ω/sq的磷扩散层形成发射结。

优选的，在上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法中，所述对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层为：

对所述磷扩散层进行热氧化，形成厚度范围为0.8nm至1.5nm的隧道氧化层。

优选的，在上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法中，所述在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜为：

利用低压化学气相沉积方式在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜。

优选的，在上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法中，所述正面沉积氮化硅薄膜为：

利用等离子增强化学气相沉积方式在所述P型硅片的正面沉积厚度范围为60nm至120nm的氮化硅薄膜。

优选的，在上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法中，所述在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜为：