[发明专利]有机发光显示面板及其显示装置有效
| 申请号: | 201710841634.3 | 申请日: | 2017-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN107644893B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
| 发明(设计)人: | 王湘成;牛晶华 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
第一有机发光二极管,第二有机发光二极管以及第三有机发光二极管;
所述第一有机发光二极管、所述第二有机发光二极管和所述第三有机发光二极管各用于发出红光、绿光或者蓝光中的一种;
其中,所述第一有机发光二极管、所述第二有机发光二极管和所述第三有机发光二极管中的至少一种包括具有第一种发光模式的有机发光二极管和具有第二种发光模式的有机发光二极管,
同一种出光颜色的所述具有第一种发光模式的有机发光二极管和所述具有第二种发光模式的有机发光二极管中,在开始发光后的预设时间段内,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管的亮度大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管的亮度;
所述具有第一种发光模式的有机发光二极管的亮度随时间的变化呈先上升后下降的趋势,所述具有第二种发光模式的有机发光二极管的亮度随时间的变化呈下降的趋势;
或者,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管的亮度和所述具有第二种发光模式的有机发光二极管的亮度均随着时间下降,二者下降速率不同。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述预设时间段大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管的亮度变为起始亮度的97%所需要的时间。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第一有机发光二极管,所述第二有机发光二极管以及所述第三有机发光二极管均包括相对设置的阴极和阳极,以及设置在所述阴极和所述阳极之间的有机功能层;
所述有机功能层包括空穴传输层、电子传输层以及设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间的发光层,所述空穴传输层与所述阳极相接触,所述电子传输层与所述阴极相接触。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管包括的电子传输层的掺杂比例,大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管包括的电子传输层的掺杂比例。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管包括的电子传输层的电子迁移率,小于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管包括的电子传输层的电子迁移率。
6.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述有机功能层还包括设置在所述电子传输层和所述发光层之间的空穴阻挡层,
所述具有第一种发光模式的有机发光二极管包括的空穴阻挡层的厚度,大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管包括的空穴阻挡层的厚度。
7.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述有机功能层还包括设置在所述阴极和所述电子传输层之间的电子注入层,
所述具有第一种发光模式的有机发光二极管包括的电子注入层的厚度,大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管包括的电子注入层的厚度。
8.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管包括的发光层中的掺杂材料的寿命,大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管包括的发光层中的掺杂材料的寿命。
9.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管的发光层和所述具有第二种发光模式的有机发光二极管的发光层均包括N型主体材料和P型主体材料,
其中,所述具有第一种发光模式的有机发光二极管的发光层中P型主体材料的体积比与N型主体材料的体积比比值,大于所述具有第二种发光模式的有机发光二极管的发光层中P型主体材料的体积比与N型主体材料的体积比比值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





