[发明专利]一种LED芯片光功率的测试方法

说明书

本发明提供一种LED芯片光功率的测试方法，包括以下步骤：在相同条件下生长待测试LED芯片和纯热阻芯片，其中，纯热阻芯片在生长发光量子阱时不进行In掺杂，以保证纯热阻芯片工作时不会发光；在相同条件下计算待测试LED芯片的输入功率W₁和纯热阻芯片的输入功率W₂，所述纯热阻芯片的输入功率W₂即待测试LED芯片的热功率；计算待测试LED芯片的光功率＝W₁－W₂。本发明计算出的待测试LED芯片光功率与电功率相对应，测试值真实性高；该方法不需要再次定标，不受测试设备种类、新旧及标定系数影响；可应用于全波段光功率的测试，尤其是深紫外芯片的光功率测试；该方法可以准确推算出光功率/热功率占比，对LED理论探索有指导性意义。

技术领域

本发明属于LED芯片测试技术领域，特别是涉及一种LED芯片光功率的测试方法。

背景技术

LED芯片发光技术以其亮度高、功耗低、寿命长、体积小等诸多优点被越来越多的应用在显示器背光、家用及商用照明领域。

由于LED芯片测试设备或测试标准存在差异，其光功率测试很难做到统一，同一颗芯片在不同设备或不同标准下获得的光功率可能会存在较大差异。根本原因是现有的光功率测试方法均采用“光强感应”加“系数标定”的方法，即直接测试法。直接测试法的优势是简便快捷，但由于其采用系数标定的方法定义光功率，并非真实功率，与电功率无法对应，其数值受测试设备种类、新旧及标定系数影响；另外，该种测试设备往往只适合可见波长段范围，而很难适用于不可见的紫外光波段。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种LED芯片光功率的测试方法，用于解决现有测试LED光功率方法中存在的定标不一、测试值不真实、无法测试全波段等问题。

为实现上述目的，本发明采用以下方案：一种LED芯片光功率的测试方法，所述测试方法包括以下步骤：步骤1、在相同条件下生长待测试LED芯片和纯热阻芯片，其中，纯热阻芯片在生长发光量子阱时不进行In掺杂，以保证纯热阻芯片工作时不会发光；步骤2、在相同条件下计算待测试LED芯片的输入功率W₁和纯热阻芯片的输入功率W₂，所述纯热阻芯片的输入功率W₂即待测试LED芯片的热功率；步骤3、计算待测试LED芯片的光功率P，待测试LED芯片的光功率P＝待测试LED芯片的输入功率W₁－纯热阻芯片的输入功率W₂。

于本发明的一实施方式中，在所述步骤1中，所述相同条件包括采用相同工艺同批次进行待测试LED芯片和纯热阻芯片的材料生长，所述待测试LED芯片和纯热阻芯片的衬底材质、导电材质、外观形貌均一致。

于本发明的一实施方式中，所述步骤2包括以下步骤：步骤21、制作两个相同的金属散热底座，在两个金属散热底座的相同位置均开孔，放入测温热电偶探头并连接相同的测温设备；步骤22、将相同数量的纯热阻芯片和待测试LED芯片使用相同的工艺固定在金属散热底座上，并将金属散热底座放在相同的环境中；步骤23、将待测试LED芯片点亮，至温度达到平衡，记录温度T及待测试LED芯片的输入电流I₁和输入电压Vf₁；步骤24、调整纯热阻芯片输入电流，直至温度达到平衡时T₁＝T，记录纯热阻芯片的输入电流I₂和输入电压Vf₂；步骤25、计算待测试LED芯片的输入功率W₁＝Vf₁×I₁，计算纯热阻芯片的输入功率W₂＝Vf₂×I₂。

于本发明的一实施方式中，在所述步骤21中，所述孔的深度为25mm，所述孔的直径与所述测温热电偶探头相适配。

于本发明的一实施方式中，在所述步骤21中，切割两块大小相同的铝块制作所述金属散热底座。