[发明专利]一种黑硅MWT背接触电池的制备方法

说明书

本发明公开了一种黑硅MWT背接触电池的制备方法。黑硅MWT背接触电池的制备方法包括以下步骤：首先对硅片进行去损伤层处理，然后在硅片正面需要穿孔的位置印刷金属浆料，再对硅片进行黑硅制绒，印刷金属浆料的硅片表面被穿孔，未印刷金属浆料的硅片表面形成规则的纳米陷光结构，最后再依次进行扩散、镀膜、印刷、烧结、激光划线隔离工艺。本发明中通过印刷金属浆料配合黑硅制绒实现硅片的穿孔，省去激光打孔工序，此方案操作简单，设备投入低，无需激光打孔设备，最主要的是可以避免因激光打孔带来的碎片率升高，良率下降的问题；同时匹配黑硅制绒，可进一步提升电池转换效率约0.4%，相比传统的MWT背接触电池制作工艺，其单瓦成本可下降10~15%。

技术领域

本发明属于技术太阳能电池技术领域，特别涉及一种黑硅MWT背接触电池的制备方法。

背景技术

传统的MWT背接触电池技术是采用激光打孔、背面布线的技术消除了正面电极的主栅线，正面电极细栅线搜集的电流通过孔洞中的银浆引到背面，这样电池的正负电极点都分布在电池片的背面，有效减少了正面栅线的遮光，达到提高转化效率的目的；故对于传统MWT背接触电池技术而言，第一步就是进行激光打孔，但是激光打孔因为电池片应力问题，会带来碎片率升高，良率下降的问题，这个问题一直是MWT背接触电池未得到广泛应用的关键问题之一。

发明内容

本发明提供一种黑硅MWT背接触电池的制备方法，以解决现有技术中的问题。采用本发明的金属浆料结合黑硅制绒的湿化学方法，实现表面纳米结构形貌以及化学腐蚀穿孔，不仅解决了碎片率高，良率下降的问题，同时硅片表面具有更优的陷光作用，能够显著降低硅片表面的反射率，目前走在行业前段的企业已实现普通电池工艺的黑硅量产。且此工艺方案简单易行，电池片成本更低，可实现大面积批量生产，拥有很广泛的应用市场。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种黑硅MWT背接触电池的制备方法，包括以下步骤：

S1、对多晶硅硅片表面进行去损伤层处理；

S2、在硅片表面需要开孔的位置印刷金属浆料；

S3、将带金属浆料的硅片进行黑硅制绒，带有金属浆料的硅片表面则被穿孔，没有金属浆料的硅片表面则制备为黑硅纳米陷光结构，黑硅制绒方法使用金属离子辅助刻蚀法，得到带有穿孔的黑硅硅片；被穿孔的位置为硅片表面的金属浆料所在位置，在被穿孔的位置形成穿孔，穿孔为通孔；

S4、将制备好的带有穿孔的黑硅硅片进行扩散，形成PN结；

S5、再依次进行镀膜、印刷、烧结、激光划线隔离工艺。

所述S2中金属浆料中的金属可以为Ag、Cu、Ni等，其金属浆料成分包括纳米银颗粒、树脂、有机溶剂及其它，按照质量百分比计算，其中纳米银颗粒为5%~30%、树脂为40%~60%、有机物载体为10%~40%，其它为0%~15%。

所述树脂为饱和丙烯酸酯、高分子量环氧树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、酚醛树脂、饱和聚酯、聚醋酸乙烯酯、聚醋酸乙烯醇的一种或几种，饱和丙烯酸酯、高分子量环氧树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、酚醛树脂、饱和聚酯、聚醋酸乙烯酯、聚醋酸乙烯醇以任意比例混合。所述有机物载体按重量百分比分为乙基纤维素1~20%，丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二辛酯、二乙二醇丁醚中任一种或组合30~50%、萜品醇30~69%，丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二辛酯、二乙二醇丁醚以任意比例混合。所述其他为松油醇、松节油、蓖麻醇的一种或几种。松油醇、松节油、蓖麻醇以任意比例混合。采用此金属浆料成分，使得金属浆料快速牢固地印刷于黑硅硅片需要穿孔的位置，该金属浆料使得在后续腐蚀过程中，在黑硅硅片形成穿孔，印刷过程在常温下即可完成。