[发明专利]钨铜银碳体系复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201710823024.0 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107671279B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 罗国强;李远;张联盟;沈强;张成成;张建;代洋 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | B22F1/02 | 分类号: | B22F1/02;B22F3/10;C23C18/44;C23C18/40 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 制备 包覆粉末 颗粒表面 钨铜银 可控 坯体 复合 烧结助剂层 低温烧结 化学包覆 纳米界面 气氛烧结 球磨混合 有机碳源 综合性能 润湿层 致密化 电学 包覆 高钨 冷压 裂解 热学 修饰 力学 简易 | ||
1.一种钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征是采用低温烧结致密化和多次化学包覆的方法,首先将有机碳源裂解在W粉颗粒表面形成含碳的W粉,然后将含碳的W粉进行热处理获得WC@W复合粉末,并在WC@W复合粉末上进行化学镀Cu,制备含碳的Cu@WC@W复合粉末,再将Cu@WC@W进行化学镀Ag,获得Ag@Cu@WC@W复合包覆粉末;同时采用化学镀Ag在Cu粉颗粒表面包覆Ag镀层得到Ag@Cu复合包覆粉末,然后将这两种粉末进行球磨混合均匀,再将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷压获得坯体,最后对坯体进行真空或气氛烧结,得到高性能、高钨含量的W-Cu-Ag-C体系复合材料。
2.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的Ag@Cu@WC@W复合包覆粉末,具体制备工艺包含:Cu@WC@W复合粉末制备工艺为:首先将高分子聚乙烯缩丁醛(PVB)溶于酒精后,将W粉与PVB溶液混合均匀后在烘箱中烘干,然后将PVB@W粉末在600℃下进行排胶,获得含碳的W粉;再将含碳的W粉磨细,然后将含碳的W粉在900℃-1200℃下进行热处理获得WC@W复合粉末,并在WC@W复合粉末上进行化学镀Cu,制备含碳的Cu@WC@W复合粉末;化学镀铜的工艺为最佳包覆工艺,即添加10mg/L—40mg/L的二联吡啶作为稳定剂,在化学镀温度为40℃-60℃、pH值为11-12.5;将制备的Cu@WC@W复合粉末进行化学镀银,制备Ag@Cu@WC@W复合包覆粉末,具体采用以下工艺:将Cu@WC@W粉末加入到pH为11~13的银络合溶液中并加入还原溶液,搅拌反应0.5-1.5h,清洗粉体获得Ag@Cu@WC@W复合包覆粉末,该还原液由质量浓度38wt.%甲醛、无水乙醇、去离子水组成;其中银络合溶液组成为AgNO3浓度为0.1g/L,酒石酸钾钠的浓度为0.3g/L,稳定剂浓度为2mg/L,稳定剂采用2,2-联吡啶,搅拌反应温度为45℃。
3.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的Ag@Cu复合包覆粉末,具体是采用以下方法制成的:将Cu粉末加入到pH为11~13的银络合溶液中并加入还原溶液,搅拌反应0.5-1.5h,清洗粉体获得Ag@Cu复合包覆粉末,该还原液由质量浓度38wt.%甲醛、无水乙醇、去离子水组成,其中银络合溶液组成为AgNO3浓度为0.1g/L,酒石酸钾钠的浓度为0.3g/L,稳定剂浓度为2mg/L,稳定剂采用2,2-联吡啶,搅拌反应温度为45℃。
4.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的Cu粉的纯度为99.9%,粒径为1-20μm。
5.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的W粉的纯度为99.9%,粒径为1-10μm。
6.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的Ag@Cu@WC@W复合包覆粉末中Cu的质量分数在1-5%,WC的质量分数在0.5-1%,Ag质量分数在0.5-1%。
7.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的Ag@Cu复合包覆粉末中Cu的质量分数在5-15%,Ag的质量分数在0.5-1%。
8.根据权利要求1所述的钨铜银碳体系复合材料的制备方法,其特征在于所述的真空或者气氛烧结工艺为:烧结温度为600℃-800℃,保温时间为1-4h。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述方法制备的钨铜银碳体系复合材料,其特征是该材料的技术参数为:硬度≥215HV,抗弯强度≥780MPa,热导率≥198W/(m·K),电导率≥46.2%IACS。
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