[发明专利]一种曝光方法及图案化目标膜层的方法

说明书

本发明公开了一种曝光方法，所述曝光方法包括以下步骤：(a)在目标膜层上形成一金属层；(b)在金属层上形成一光阻层；(c)对光阻层进行光束照射，金属层将穿过所述光阻层的光束进行反射，并返回至光阻层，以去除所述光阻层的部分光阻而形成图案化的光阻层，并在所述图案化的光阻层的图案位置处露出金属层；(d)去除所述图案化光阻层的图案位置处所露出的金属层，以形成图案化的金属层。本发明能够保证光阻层在曝光制程中曝光充分，从而提高高像素显示器件的生产良率。

技术领域

本发明涉及液晶显示面板技术领域，尤其涉及一种曝光方法及图案化目标膜层的方法。

背景技术

随着显示器技术的发展，越来越多的显示器开始采用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)进行像素驱动，以完成显示器的显示功能。

而当4K、8K显示器研发成功并成功上市之后，人们对显示器的分辨率的需求也越来越高。于是，屏幕供应商开始挑战更高像素(如800ppi以上)的产品，因此，相应地，需要将显示器件的跨接孔或线宽制造成为更小的尺寸，例如，1μm。

然而，目前业界普遍使用某一公司的曝光机模组和掩模板140进行阵列基板的制程，如图1A～1B所示。由于受到曝光机模组的曝光极限影响(曝光极限为2μm)，因此，在超高像素显示器件生产的跨接孔的曝光制程中，形成在下层结构110和目标膜层120上的光阻(photo resist)层130常因曝光不充分而无法被显影掉，从而导致产品的不良。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种曝光方法及图案化目标膜层的方法，其能够保证光阻层在曝光制程中曝光充分，从而提高高像素显示器件的生产良率。

为了实现上述目的，本发明提供了一种曝光方法，所述方法包括以下步骤：(a)在目标膜层上形成一金属层；(b)在金属层上形成一光阻层；(c)对光阻层进行光束照射，金属层将穿过所述光阻层的光束进行反射，并返回至光阻层，以去除所述光阻层的部分光阻而形成图案化的光阻层，并在所述图案化的光阻层的图案位置处露出金属层；(d)去除所述图案化光阻层的图案位置处所露出的金属层，以形成图案化的金属层。

在本发明的一实施例中，所述金属层中的金属为钼、钛、银和铝中的一种。

在本发明的一实施例中，在步骤(a)中，通过采用物理气相沉积方式形成金属层。

在本发明的一实施例中，在步骤(c)中，光束透过一具有图案的光掩模照射至所述光阻层。

在本发明的一实施例中，在步骤(d)中，通过湿刻蚀的方式去除金属层，其中，去除金属层所使用的刻蚀液的成分为选自硝酸、磷酸及草酸中的至少一种。

在本发明的一实施例中，在步骤(a)中，所述目标膜层是由硅、二氧化硅及氮化硅中的一种材料形成。

另外，本发明还提供一种图案化目标膜层的方法，所述方法包括：(e)通过采用上述曝光方法，以形成图案化的光阻层和金属层，以进一步露出部分目标膜层；(f)去除所述部分目标膜层，以形成图案化的目标膜层；(g)剥离所述图案化的金属层上方的光阻层；(h)去除所述图案化的目标膜层上方的金属层。

在本发明的一实施例中，在步骤(f)中，当目标膜层的材料为氮化硅或硅时，选择干法刻蚀进行刻蚀；当目标膜层的材料为二氧化硅时，选择干法刻蚀或湿刻蚀进行刻蚀。

在本发明的一实施例中，在步骤(g)中，通过使用光阻剥离液去除所述图案化的金属层上方的光阻层。

在本发明的一实施例中，在步骤(h)中，通过湿刻蚀的方式去除所述图案化的目标膜层上方的金属层。