[发明专利]一种曝光方法及图案化目标膜层的方法

权利要求书

1.一种曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)在目标膜层上形成一金属层；

(b)在金属层上形成一光阻层；所述光阻层的厚度为1.5μm至2μm；

(c)对光阻层进行光束照射，金属层将穿过所述光阻层的光束进行全反射，并返回至光阻层，以去除所述光阻层的部分光阻而形成图案化的光阻层，并在所述图案化的光阻层的图案位置处露出金属层；

(d)去除所述图案化光阻层的图案位置处所露出的金属层，以形成图案化的金属层；其中所述金属层的材料及去除金属层所使用的刻蚀液的成分是根据目标膜层及目标膜层下方的膜层的材料而确定的。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述金属层中的金属为钼、钛、银和铝中的一种。

3.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，在步骤(a)中，通过采用物理气相沉积方式形成金属层。

4.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，在步骤(c)中，光束透过一具有图案的光掩模照射至所述光阻层。

5.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，在步骤(d)中，通过湿刻蚀的方式去除金属层，其中，去除金属层所使用的刻蚀液的成分为选自硝酸、磷酸及草酸中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述目标膜层是由硅、二氧化硅及氮化硅中的一种材料形成。

7.一种图案化目标膜层的方法，其特征在于，包括：

(e)通过采用权利要求1所述的曝光方法形成图案化的光阻层和金属层，以进一步露出部分目标膜层；

(f)去除所述部分目标膜层，以形成图案化的目标膜层；

(g)剥离所述图案化的金属层上方的光阻层；

(h)去除所述图案化的目标膜层上方的金属层。

8.根据权利要求7所述的图案化目标膜层的方法，其特征在于，在步骤(f)中，当目标膜层的材料为氮化硅或硅时，选择干法刻蚀进行刻蚀；当目标膜层的材料为二氧化硅时，选择干法刻蚀或湿刻蚀进行刻蚀。

9.根据权利要求7所述的图案化目标膜层的方法，其特征在于，在步骤(g)中，通过使用光阻剥离液去除所述图案化的金属层上方的光阻层。

10.根据权利要求7所述的图案化目标膜层的方法，其特征在于，在步骤(h)中，通过湿刻蚀的方式去除所述图案化的目标膜层上方的金属层。