[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；

在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中形成有源区和沟道；

在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，

在所述深沟槽隔离结构的侧壁上形成有交替设置的第二P型注入区和第二N型注入区。

3.根据权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，

所述第二P型注入区和所述第二N型注入区沿垂直于所述半导体衬底的方向延伸。

4.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，

在所述深沟槽隔离结构的靠近所述阱区的一侧形成有与所述阱区导电类型相同的第三注入区；

在所述深沟槽隔离结构的靠近所述漏区的一侧形成有与所述漏区导电类型相同的第四注入区。

5.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，

所述第一P型注入区的宽度自所述阱区和所述漏区中与所述第一P型注入区的导电类型相同的一侧向与所述第一P型注入区的导电类型相反的一侧逐渐减小；

所述第一N型注入区的宽度自所述阱区和所述漏区中与所述第一N型注入区的导电类型相同的一侧向与所述第一N型注入区的导电类型相反的一侧逐渐减小。

6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为体硅衬底或绝缘体上硅衬底。

7.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成漂移区；

在所述漂移区形成阱区和漏区，在所述阱区中形成源区和沟道；

在所述漂移区中形成位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区通过下述步骤形成：

在所述漂移区中在所述阱区和漏区之间形成间隔且平行设置的第一深沟槽；

对所述第一深沟槽进行离子注入，以在所述第一深沟槽的底部形成所述第一P型注入区和所述第一N型注入区其中之一

填充所述第一深沟槽形成第一深沟槽隔离结构；

在相邻的所述第一深沟槽隔离结构之间形成第二深沟槽；

对所述第二深沟槽进行离子注入，以在所述第二深沟槽的底部形成所述第一P型注入区和所述第一N型注入区其中另一；

填充所述第二深沟槽形成第二深沟槽隔离结构。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述第一深沟槽进行离子注入时还在所述第一深沟槽的面向所述阱区和所述漏区的侧壁上形成第二P型注入区和第二N型注入区其中之一；

对所述第二深沟槽进行离子注入时还在所述第二深沟槽的与所述阱区和所述漏区相对的侧壁上形成第二P型注入区和第二N型注入区其中另一。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一深沟槽和第二深沟槽与所述阱区和所述漏区相对的一侧分别形成第三深沟槽和第四深沟槽；

在所述第三深沟槽的底部和侧壁上形成与所述阱区导电类型相同的第三注入区；

在所述第四深沟槽的底部和侧壁形成与所述漏区导电类型相同的第四注入区。

11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述第一P型注入区的宽度自所述阱区和所述漏区中与所述第一P型注入区的导电类型相同的一侧向与所述第一P型注入区的导电类型相反的一侧逐渐减小；

所述第一N型注入区的宽度自所述阱区和所述漏区中与所述第一N型注入区的导电类型相同的一侧向与所述第一N型注入区的导电类型相反的一侧逐渐减小。