[发明专利]多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，其包括：

多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一层和多个包括陶瓷共用材料的内部电极层中的每一层交替层叠，

其中包括在所述陶瓷电介质层中并与所述内部电极层接触的陶瓷晶粒中的Mg浓度小于所述共用材料中的Mg浓度，

其中所述共用材料包括Mo，

其中所述共用材料中的Mo浓度小于所述陶瓷电介质层的陶瓷晶粒中的Mo浓度。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中在所述陶瓷电介质层中在所述多层结构的层叠方向上的陶瓷晶粒的数目为1个或2个的区域中，所述陶瓷晶粒是在所述层叠方向上的陶瓷晶粒中的任一个。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中：

所述陶瓷电介质层包括3个或更多个在所述陶瓷电介质层的层叠方向上连续延续的陶瓷晶粒，并且

在不与所述内部电极层接触的陶瓷晶粒中的Mg浓度小于与所述内部电极层接触的陶瓷晶粒中的Mg浓度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的多层陶瓷电容器，其中所述陶瓷晶粒和所述共用材料的主要组分是钛酸钡。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的多层陶瓷电容器，其中所述内部电极层的主要组分是Ni。

6.一种制造多层陶瓷电容器的方法，其包括：

形成包括陶瓷颗粒的生片；

通过将所述生片和包括陶瓷共用材料的用于形成内部电极的导电浆料交替层叠而形成多层结构；和

焙烧所述多层结构，

其中所述生片中相对于所述陶瓷颗粒的主要组分陶瓷的Mg原子浓度小于所述用于形成内部电极的导电浆料的共用材料中相对于主要组分陶瓷的Mg原子浓度，

其中所述共用材料包括Mo，

其中所述生片中相对于所述陶瓷颗粒的主要组分陶瓷的Mo原子浓度大于所述共用材料中相对于主要组分陶瓷的Mo原子浓度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

在焙烧之前所述生片不包括Mg；并且

在焙烧之前所述用于形成内部电极的导电浆料包括Mg。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述用于形成内部电极的导电浆料的共用材料的一部分在焙烧过程中扩散于所述生片。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述生片和所述共用材料的主要组分是钛酸钡。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述用于形成内部电极的导电浆料的主要组分是Ni。