[发明专利]一种研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待研磨的半导体结构，所述待研磨的半导体结构至少包括研磨层和位于研磨层之下的研磨终点检测层；

采用研磨液对研磨层进行主研磨；

获取主研磨过程中用于表征研磨层表面物理性能的性能参数；

根据所述性能参数判断是否到达主研磨的研磨终点；

若到达主研磨的研磨终点，对研磨液进行稀释，以使稀释后的研磨液的研磨层对研磨终点检测层的选择比达到预设选择比；

以稀释后的研磨液对研磨层进行过研磨。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对研磨液进行稀释包括根据预设稀释浓度对研磨液进行稀释；

所述预设稀释浓度根据研磨液对研磨层和研磨终点检测层的选择比与稀释浓度之间的对应关系确定。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设稀释浓度还根据研磨液对研磨层的研磨速率与稀释浓度之间的对应关系确定。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述研磨层为金属层，所述研磨终点检测层为非金属层时，所述稀释浓度的范围为50％-75％。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述研磨液和所述稀释溶剂的流量的比值在1:1到3:1之间。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述研磨方法应用于钨化学机械研磨，所述研磨层为金属钨层，所述研磨终点检测层为氧化物层。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，在所述过研磨停止后，还包括：

清洗所述半导体结构表面。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述清洗所述半导体结构表面包括：原位使用去离子水冲洗。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述研磨层为金属层，所述金属层表面物理性能的性能参数包括反射光强度；

所述根据所述性能参数判断是否到达主研磨的研磨终点，包括：

判断所述反射光强度是否达到预设强度值；

当判断结果为是时，确定到达主研磨的研磨终点。

10.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述研磨层为非金属层，所述非金属层的物理表面性能的性能参数包括表面摩擦系数；

所述根据所述性能参数判断是否到达主研磨的研磨终点包括：

判断所述表面摩擦系数的变化是否符合目标变化趋势；

当判断结果为是时，确定到达主研磨的研磨终点。