[发明专利]一种数据存储方法和装置

说明书

本申请实施例公开了一种数据存储方法和装置，所述方法包括：获取非易失性存储器的第一存储空间的初始存储地址；从所述第一存储空间的初始存储地址开始计数并存储第一数据，每存储一个所述第一数据，均在存储该第一数据对应的存储地址上加1；所述第一存储空间的比特数大于所述第一数据的比特数；当计数达到预设次数时，将存储地址加预设数目，得到第二存储空间中的预设存储地址，以从所述第二存储空间中的预设存储地址开始计数并存储第二数据，第一存储空间中存储地址的标识和第二存储空间中存储地址的标识不同。

技术领域

本申请涉及数据存储领域，尤其涉及一种数据存储方法和装置。

背景技术

非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)是指断电时不会丢失存储的内容的一类存储器，包括闪存(Flash Memory)、铁电介质存储器(FRAM或FeRAM)、磁介质存储器(MRAM)等。在数据存储在非易失性存储器的过程中，可能会因为非易失性存储器的存储单元被损坏或存储单元中的原数据未被事先清除而发生错误，所以可以采用ECC(ErrorChecking and Correction，错误检查和纠正)码对产生错误的数据进行纠正。

在存储方式上，ECC码和数据一起存储在非易失性存储器的最小读写单元中，即每个最小读写单元都存储有数据和ECC码，数据和ECC码以一定的规律进行存储。以NAND闪存为例，NAND的最小读写单元为页(page)，假设在一页中存储有16K Byte数据和2K Byte ECC码，那么存储的形式可以是每存储4K Byte数据，存储0.5K Byte ECC码(参见图1)，或者，每存储8K Byte数据，存储1K Byte ECC码(参见图2)。

存储数据一般采用地址计数器来存储。现有技术的地址计数器(AddressCounter，AC)是加1计数器，即在初始地址的基础上，地址计数器每加一次1，就将一个数据或一个ECC码存储在上个地址加1后的地址中。

然而，采用现有技术的地址计数器进行存储不便于读取数据。因为若最小读写单元中的数据被切分为多段时，每段数据都会对应有各自的标识，不同段数据对应有不同的标识，而在读取数据时，根据该标识进行读取即可。但是如果按照现有的地址计数器来存储数据，那么这些标识就会失效，因而造成不便。

发明内容

为了解决现有技术中存在的技术问题，本申请实施例提供了一种数据存储方法和装置，实现了通过存储地址标识来识别不同段数据的目的。

本申请实施例提供了一种数据存储方法，所述方法包括：

获取非易失性存储器的第一存储空间的初始存储地址；

从所述第一存储空间的初始存储地址开始计数并存储第一数据，每存储一个所述第一数据，均在存储该第一数据对应的存储地址上加1；所述第一存储空间的比特数大于所述第一数据的比特数；

当计数达到预设次数时，将存储地址加预设数目，得到第二存储空间中的预设存储地址，以从所述第二存储空间中的预设存储地址开始计数并存储第二数据，第一存储空间中存储地址的标识和第二存储空间中存储地址的标识不同。

可选的，所述第一数据包括第一待存储数据和第一ECC码；和/或，

所述第二数据包括第二待存储数据和第二ECC码。

可选的，所述第一存储空间为所述非易失性存储器的最小读写单元中的其中一个子空间；和/或，

所述第二存储空间为所述非易失性存储器的所述最小读写单元中的另外一个子空间。

可选的，所述第一存储空间为所述非易失性存储器的其中一个最小读写单元；和/或，

所述第二存储空间为所述非易失性存储器的另外一个最小读写单元。