[发明专利]一种显示基板及显示装置有效
申请号: | 201710763009.1 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107492567B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 席克瑞;崔婷婷;欧阳珺婷;林柏全 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板及显示装置,显示基板中的每个像素电路包括基板;位于基板上的多个像素电路,每个像素电路包括驱动晶体管和有机发光元件;驱动晶体管用于向有机发光元件提供驱动电流,有机发光元件用于响应驱动电流发光;位于基板上的至少一电极层,电极层在基板上的垂直投影覆盖驱动晶体管在基板上的垂直投影,用于反射照射至电极层上的光线。通过本发明的技术方案,有效避免了光线照射至驱动晶体管,减弱了驱动晶体管的转移特性曲线的扭曲程度,提高了驱动晶体管补偿后的转移特征曲线与驱动晶体管的原始转移特性曲线的重合性,改善了有机发光显示面板显示不均匀的问题。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机发光显示装置一般包含有若干个像素,每个像素包括像素电路。现有技术采用的结构最简单的像素电路为2T1C结构,即像素电路中包括两个晶体管和1个存储电容,其中一个晶体管为开关晶体管,另一个晶体管为驱动像素中的有机发光元件发光的驱动晶体管,但是驱动晶体管产生的驱动有机发光元件发光的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压相关,当驱动晶体管的阈值电压长时间偏压发生漂移后,影响驱动晶体管产生的驱动电流的大小,造成有机发光显示面板存在显示不均匀。
针对上述问题,目前可以采用nT1C的结构实现对驱动晶体管阈值电压的补偿,使得驱动晶体管产生的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压无关。驱动晶体管均对应一转移特性曲线,即驱动晶体管的栅极与源极之间的电压和驱动晶体管产生的驱动电流的关系曲线,在显示面板中的有机发光元件处于发光阶段时,像素电路中的驱动晶体管一直处于偏置状态以向有机发光元件提供驱动电流,长时间的偏压状态使得驱动晶体管的转移特性曲线发生漂移,通过nT1C结构的像素电路虽然能够补偿驱动晶体管的阈值电压,但是驱动晶体管补偿后的特性曲线的扭曲部分仍无法与原始转移特性曲线重合,驱动晶体管的栅极与源极之间的电压相同时,驱动晶体管产生的驱动有机发光元件的驱动电流的大小不同,导致有机发光显示面板存在显示不均匀的问题。尤其是当有光线照射至驱动晶体管时,使得驱动晶体管的转移特性曲线发生更大程度的扭曲,驱动晶体管补偿后的转移特性曲线与驱动晶体管的原始转移特性曲线的重合性更差,加重了有机发光显示面板显示不均匀的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显示基板及显示装置,通过在显示基板中设置至少一层电极层,使电极层在基板上的垂直投影覆盖驱动晶体管在基板上的垂直投影,且电极层能够反射照射至电极层上的光线,有效避免了光线照射至驱动晶体管,减弱了驱动晶体管的转移特性曲线的扭曲程度,提高了驱动晶体管补偿后的转移特征曲线与驱动晶体管的原始转移特性曲线的重合性,改善了有机发光显示面板显示不均匀的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示基板,包括:
基板;
位于所述基板上的多个像素电路,每个所述像素电路包括驱动晶体管和有机发光元件;所述驱动晶体管用于向所述有机发光元件提供驱动电流,所述有机发光元件用于响应所述驱动电流发光;
位于所述基板上的至少一电极层,所述电极层在所述基板上的垂直投影覆盖所述驱动晶体管在所述基板上的垂直投影,用于反射照射至所述电极层上的光线。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第一方面所述的显示基板。
本发明实施例提供了一种显示基板及显示装置,通过在显示基板中设置位于基板上的至少一层电极层,使电极层在基板上的垂直投影覆盖驱动晶体管在基板上的垂直投影,且电极层能够反射照射至电极层上的光线,利用电极层遮挡了照射至驱动晶体管的光线,有效避免了光线照射至驱动晶体管,减弱了驱动晶体管的转移特性曲线的扭曲程度,提高了驱动晶体管补偿后的转移特征曲线与驱动晶体管的原始转移特性曲线的重合性,改善了有机发光显示面板显示不均匀的问题。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的