[发明专利]排气设备和使用其的衬底处理设备

说明书

本发明提供一种使用气帘替代机械打开/关闭结构的排气设备，以通过选择性地排放气体来防止反应副产物的形成。排气设备包含：第一区域；连接到第一区域的第二区域；连接到第一区域的第三区域；以及连接到第二区域的第一气体管线，其中当将气体供应到第一气体管线时，第一区域不与第二区域连通，但与第三区域连通。

技术领域

一或多个实施例涉及一种排气设备、一种使用所述排气设备的衬底处理设备和一种使用所述排气设备的薄膜制造方法，且更确切地说，涉及一种被配置以选择性地排放气体的排气设备、一种使用所述排气设备的衬底处理设备和一种使用所述排气设备的薄膜制造方法。

背景技术

与半导体技术的发展一起，半导体衬底处理工艺(例如，沉积工艺或蚀刻工艺)已变得更错综复杂，且已将各种化学材料用作原料。因此，已开发具有各种结构的衬底处理设备来处理各种原料。

如果将具有高反应性的不同化学材料用作原料，那么装备的操作可受到反应副产物影响。举例来说，在反应器或排气管线中，反应副产物可保持呈固体形式。此剩余固体物质可降低排气系统的效率，且可造成例如阀或压力计的内部组件的故障。此外，在将有害化学品排放到空气前，此固体物质可保留在被配置以收集有害化学品的排气泵或洗涤器中。在此情况下，衬底处理设备的操作可能停止，或衬底处理设备的操作或生产率可能受到负面影响。

发明内容

一或多个实施例包含一种被配置以通过选择性地排放气体来防止反应副产物的形成的排气设备、一种使用所述排气设备的衬底处理设备和一种使用所述排气设备的薄膜制造方法。

额外方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从所述描述显而易见，或者可以通过实践所提出的实施例而获悉。

根据一或多个实施例，一种排气设备(或衬底处理设备)包含：第一区域；连接到所述第一区域的第二区域；连接到所述第一区域的第三区域；以及连接到所述第二区域的第一气体管线，其中当将气体供应到所述第一气体管线时，所述第一区域不与所述第二区域连通，但与所述第三区域连通。

所述排气设备(或所述衬底处理设备)可还包含连接到所述第三区域的第二气体管线，其中当将气体供应到所述第二气体管线时，所述第一区域可不与所述第三区域连通，但可与所述第二区域连通。

所述第一气体管线与所述第二气体管线可相互连接。

所述排气设备(或所述衬底处理设备)可还包含放置于所述第二区域中的第一气体供应环，其中所述第一气体供应环可包含连接到所述第一气体管线的至少一个孔洞。

所述排气设备(或所述衬底处理设备)可还包含连接到所述第二区域的旁路管线。

所述排气设备(或所述衬底处理设备)可还包含置于中所述第二区域中的第一气体供应环，其中所述第一气体供应环可包含：连接到所述第一气体管线的第一孔洞；以及连接到所述旁路管线的第二孔洞。

所述第一孔洞可位于所述第二孔洞与所述第一区域之间。当将气体供应到所述第一气体管线时，可将来自所述第一区域的气体排放到所述第三区域，且可将来自所述旁路管线的气体排放到所述第二区域。

通过所述第一气体管线供应的气体可不与通过所述旁路管线供应的气体反应。

所述第一气体管线可包含第一打开/关闭单元，所述第二气体管线可包含第二打开/关闭单元，且所述排气设备(或所述衬底处理设备)可还包含被配置以控制所述第一和第二打开/关闭单元的控制器。

所述排气设备(或所述衬底处理设备)可还包含连接到所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的至少一个的气体分析单元，其中所述控制器可与所述气体分析单元通信且确定所述第一和第二打开/关闭单元的操作时机。