[发明专利]动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法

说明书

本发明公开一种动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法。其制作方法为首先形成一凹槽于一基底内，然后形成一第一导电层于凹槽内，再形成一第二导电层于第一导电层上，其中设于基底上方的第二导电层以及设于基底下方的第二导电层具有不同厚度。之后再形成一第三导电层于第二导电层上并填满凹槽。

技术领域

本发明涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)元件的埋入式字符线的方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明一实施例公开一种制作动态随机存取存储器的埋入式字符线的方法。首先形成一凹槽于一基底内，然后形成一第一导电层于凹槽内，再形成一第二导电层于第一导电层上，其中设于基底上方的第二导电层以及设于基底下方的第二导电层具有不同厚度。之后再形成一第三导电层于第二导电层上并填满凹槽。

本发明另一实施例公开一种动态随机存取存储器的埋入式字符线，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构又包含一第一导电层设于基底上、一第二导电层设于第一导电层上以及一第三导电层设于第二导电层上。其中第二导电层包含一水平部以及二垂直部且该水平部及该等二垂直部的其中一者具有不同厚度。

本发明又一实施例公开一种动态随机存取存储器的埋入式字符线，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构又包含一第一导电层设于基底上、一第二导电层设于第一导电层上以及一第三导电层设于第二导电层上。其中第二导电层为一字型。

附图说明

图1至图7为本发明一实施例制作一动态随机存取存储器元件的方法示意图；

图8为本发明一实施例的一动态随机存取存储器的埋入式字符线的结构示意图。

主要元件符号说明

10动态随机存取存储器元件 12 位线

14 字符线 16 基底

18 主动区 20 存储器区

22 栅极 24 浅沟绝缘

26 凹槽 28 栅极介电层

30 第一导电层 32 第二导电层

34 第三导电层 36 栅极结构

38 水平部 40 垂直部

A 第一厚度 B 第二厚度

C 第三厚度

具体实施方式