[发明专利]图像传感器的制造方法有效
申请号: | 201710723132.0 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN109427826B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 戚德奎;陈福成;陆珏;刘煊杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 曲瑞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底结构,所述衬底结构包括:
衬底,具有第一面、与所述第一面相对的第二面以及分别与所述第一面和第二面连接的第三面,所述第三面的表面具有绝缘层;
在所述衬底的第二面下的互连结构;
在所述互连结构上与所述衬底的第三面间隔开的焊盘;
在所述衬底中的多个像素和在每个像素周围的隔离结构;以及
在所述衬底的第一面上的抗反射涂层;
在所述衬底结构上形成具有开口的掩模层,所述开口的上半部分的横向尺寸小于下半部分的横向尺寸,所述开口包括露出所述隔离结构上方的衬底结构的表面的第一开口和使得所述焊盘的一部分和所述绝缘层露出的第二开口;
沉积金属栅格材料,所述金属栅格材料覆盖所述掩模层的表面和所述开口的底部;以及
剥离所述掩模层以使得所述掩模层的表面上的金属栅格材料被去除,所述开口的底部的金属栅格材料作为金属栅格,其中,所述第二开口的底部的金属栅格与所述焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述开口的尺寸从上至下逐渐增大。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述金属栅格材料还覆盖所述开口的侧壁的一部分;
所述剥离所述掩模层还使得所述开口的侧壁的所述部分上的金属栅格材料被去除。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述提供衬底结构包括:
提供初始衬底结构,所述初始衬底结构包括:
初始衬底,具有第一面和第二面;
在所述初始衬底中的多个像素和在每个像素周围的隔离结构;
在所述初始衬底的第一面上的抗反射涂层;以及
在所述初始衬底的第二面下的所述互连结构;
去除所述初始衬底的一部分及该部分上的抗反射涂层,以使得所述互连结构的表面的一部分露出并使得剩余的初始衬底的侧面露出,其中,剩余的初始衬底作为所述衬底,剩余的初始衬底的侧面作为所述第三面,剩余的抗反射涂层作为在所述衬底的第一面上的抗反射涂层;
在所述第三面上形成所述绝缘层;
形成延伸到所述互连结构中与所述互连结构的表面最接近的金属层的通孔;以及
在所述通孔中填充金属材料,从而形成所述焊盘。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在每个金属栅格围成的区域中形成与每个像素对应的彩色滤光片。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述彩色滤光片上形成微透镜。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属栅格材料包括下列中的一种或多种:W、Al、Ti、TiN、Ta、TaN。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过物理气相沉积的方式沉积所述金属栅格材料。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述抗反射涂层包括:
在所述衬底的第一面上的硅的氧化物层;以及
在所述硅的氧化物上的硅的氮化物层。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述像素包括光电二极管。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述图像传感器是背照式图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的