[发明专利]针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料

权利要求书

1.一种用于半导体处理腔室的制品，所述制品包含：

Al、Al₂O₃或SiC中的至少一者的主体；以及

所述主体上的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成，所述粉末包含Y₂O₃和ZrO₂的混合物，其中所述陶瓷涂层的每英寸的节结数目在自30个节结至45个节结的范围内且所述陶瓷涂层的孔隙率在自2.5％至3.2％的范围内。

2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述陶瓷涂层的表面粗糙度自220微英寸至250微英寸。

3.如权利要求1所述的制品，其特征在于，在所述主体的前侧及所述主体的后侧上的所述陶瓷涂层比在所述主体的外径上的所述陶瓷涂层更厚。

4.一种用于半导体处理腔室的制品，所述制品包含：

Al、Al₂O₃或SiC中的至少一者的主体；以及

所述主体上的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成，所述粉末包含Y₂O₃和ZrO₂的混合物，其中所述陶瓷涂层通过一种方法涂覆于所述主体，该方法包括：

提供具有在90A至150A的范围内的等离子体电流的等离子体喷涂系统；

在距离所述主体60mm与120mm之间处安置所述等离子体喷涂系统的喷灯支架；

使得气体以80升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；

将包含Y₂O₃和ZrO₂的混合物的所述粉末馈送入所述等离子体喷涂系统中，其中所述粉末的大部分粒子具有环形，每个环形的粒子具有球形，在所述球形相对侧上具有深凹痕；以及

用陶瓷涂层对所述制品进行等离子体喷涂，其中与其他形状的粉末粒子相比较，由所述具有环形的粒子形成的所述陶瓷涂层具有改良后的形态及降低的孔隙率，其中改良后的表面形态包括表面节结的数量减少。

5.如权利要求4所述的制品，其特征在于，使得所述气体以90升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统。

6.如权利要求4所述的制品，其特征在于，在所述主体的前侧及所述主体的后侧上的所述涂层比在所述制品的外径上的所述涂层更厚。

7.如权利要求4所述的制品，其特征在于，所述涂层的节结计数为每英寸30个节结至45个节结，所述涂层的粗糙度为220微英寸至250微英寸，以及所述涂层的横断面孔隙率为2.5％至3.2％。

8.一种将陶瓷涂层涂覆于主体的方法，所述方法包含以下步骤：

提供具有在90A至150A的范围内的等离子体电流的等离子体喷涂系统；

在距离所述主体60mm与120mm之间处安置所述等离子体喷涂系统的喷灯支架；

使得气体以80升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；

将包含Y₂O₃和ZrO₂的混合物的粉末馈送入所述等离子体喷涂系统中，其中所述粉末的大部分粒子具有环形，每个环形的粒子具有球体，在所述球体相对侧上具有深凹痕；以及

将陶瓷涂层等离子体喷涂在所述主体，其中所述陶瓷涂层包含Y₂O₃和ZrO₂的混合物，其中与其他形状的粉末粒子相比较，由所述具有环形的粒子形成的所述陶瓷涂层具有改良后的形态及降低的孔隙率，其中改良后的表面形态包括表面节结的数量减少。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，使得所述气体以90升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统。