[发明专利]OLED器件的封装结构和OLED器件

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及OLED器件的封装结构和OLED器件。该OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性。该OLED器件的封装结构，通过在有机密封层之前、紧邻有机密封层设置牺牲保护层，有机密封层用于覆盖OLED器件制程中产生的颗粒，减少因颗粒杂质导致的封装缺陷；牺牲保护层设置在有机密封层之上，避免因后续工艺制成中高能粒子对有机密封层的轰击造成的表面受损或碳化。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及OLED器件的封装结构和OLED器件。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)因具有较多的优点，在显示领域有着光明的前景。但是，OLED器件中用于形成金属阴极的活泼金属对空气中的水汽和氧气非常敏感，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入。另外，渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应，这些反应是引起OLED器件性能下降、OLED器件寿命缩短的主要因素。因此，封装技术对OLED器件非常重要。

另外，柔性OLED封装结构中，在薄膜封装工艺(Thin Film Encapsulation，简称TFE)的多层有机密封层和无机阻隔层交替堆叠的封装工艺中，无机阻隔层采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)沉积时，粒子能量高达100ev以上，会对下方的有机密封层的表面造成破坏，使原本稳定的化学价键结构出现缺陷，此缺陷会影响密封效果，导致水氧的加速侵入，造成OLED器件的寿命降低。

因此，改善OLED器件封装结构以获得较佳的OLED器件的封装效果成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种OLED器件的封装结构和OLED器件，该OLED器件的封装结构能获得较佳的OLED器件的封装效果。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性。

优选的是，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层和第二无机阻隔层；

所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述有机密封层、所述牺牲保护层和所述第二无机阻隔层。

优选的是，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层、第二无机阻隔层和第三无机阻隔层，所述有机密封层包括分离设置的第一有机密封层和第二有机密封层，所述牺牲保护层包括分离设置的第一牺牲保护层和第二牺牲保护层；

所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述第一有机密封层、所述第一牺牲保护层、所述第二无机阻隔层、所述第二牺牲保护层和所述第三无机阻隔层。

优选的是，所述牺牲保护层采用有机材料形成，所述有机材料包括六甲基二甲硅醚，通过等离子体增强化学气相沉积法形成所述牺牲保护层。

优选的是，所述牺牲保护层采用有机材料形成，所述有机材料包括亚克力或环氧树脂，通过喷墨打印方式形成所述牺牲保护层。

优选的是，所述牺牲保护层的长和宽比与其紧邻的所述有机密封层的长和宽分别大10-50微米，所述牺牲保护层的厚度范围为1-4微米。

优选的是，所述无机阻隔层采用氧化铝或氧化锆中的任一种，通过原子层沉积法形成。