[发明专利]基于模制工艺的半导体封装方法和半导体装置在审
申请号: | 201710709097.7 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN108695165A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 王明珠;赵波杰;田中武彦;陈振宇;蒋恒;郭楠 | 申请(专利权)人: | 宁波舜宇光电信息有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 315400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体元件 半导体装置 封装部件 半导体封装 变形幅度 模制工艺 补偿部 结合面 封装 不良现象 结合区域 变形的 裂痕 半成品 硬化 变形 | ||
1.一基于模制工艺的半导体封装方法,其特征在于,所述封装方法包括如下步骤:
(a)使一补偿部的至少一部分被保持在一半导体元件的一第一结合面和一封装部件的一第二结合面之间形成的结合区域的至少一部分区域,以形成一半导体装置的半成品;和
(b)在使所述封装部件硬化时,通过使所述补偿部的每个位置产生不同程度的变形的方式补偿所述封装部件的变形幅度和所述半导体元件的变形幅度的差异,以封装所述半导体元件而形成所述半导体装置。
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其中在所述步骤(a)中,所述封装部件使多个所述半导体装置的半成品相互连接,从而在所述步骤(b)之后,所述封装方法进一步包括步骤:(c)分割多个相互连接的所述半导体装置的半成品。
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其中在所述步骤(a)中,所述封装部件使多个所述半导体装置的半成品相互连接,从而在所述步骤(b)之前,所述封装方法进一步包括步骤:(c)分割多个相互连接的所述半导体装置的半成品。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其中在所述步骤(a)之前,进一步包括步骤:(d)将所述半导体元件重叠地设置于一被结合部件,以在所述步骤(a)中,所述封装部件通过包埋所述半导体元件的至少一部分和所述被结合部件的至少一部分的方式,使所述封装部件、所述半导体元件和所述被结合部件一体地结合。
5.根据权利要求1所述的封装方法,其中在所述步骤(a)中,进一步包括步骤:
提供一拼版单元,其中所述拼版单元具有至少一个所述半导体元件;
将所述补偿部设置于所述半导体元件,并且使所述补偿部的至少一部分位于所述半导体元件的所述第一结合面的至少一部分区域;以及
通过一成型模具使所述封装部件在所述半导体元件的所述第一结合面对应的位置一体地结合于所述半导体元件,从而使所述补偿部的至少一部分被保持在所述半导体元件的所述第一结合面和所述封装部件的所述第二结合面之间的结合区域的至少一部分区域。
6.根据权利要求4所述的封装方法,其中在所述步骤(a)中,进一步包括步骤:
提供一拼版单元,其中所述拼版单元具有至少一个所述半导体元件;
将所述补偿部设置于所述半导体元件,并且使所述补偿部的至少一部分位于所述半导体元件的所述第一结合面的至少一部分;以及
通过一成型模具使所述封装部件在所述半导体元件的所述第一结合面对应的位置一体地结合于所述半导体元件,从而使所述补偿部的至少一部分被保持在所述半导体元件的所述第一结合面和所述封装部件的所述第二结合面之间的结合区域的至少一部分区域。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其中在所述步骤(a)中,进一步包括步骤:
提供一拼版单元,其中所述拼版单元具有至少一个所述半导体元件;
在所述半导体元件的所述第一结合面的至少一部分形成所述补偿部的至少一部分;以及
通过一成型模具使所述封装部件在所述半导体元件的所述第一结合面对应的位置一体地结合于所述半导体元件,从而使所述补偿部的至少一部分被保持在所述半导体元件的所述第一结合面和所述封装部件的所述第二结合面之间的结合区域的至少一部分区域。
8.根据权利要求4所述的封装方法,其中在所述步骤(a)中,进一步包括步骤:
提供一拼版单元,其中所述拼版单元具有至少一个所述半导体元件;
在所述半导体元件的所述第一结合面的至少一部分形成所述补偿部的至少一部分;以及
通过一成型模具使所述封装部件在所述半导体元件的所述第一结合面对应的位置一体地结合于所述半导体元件,从而使所述补偿部的至少一部分被保持在所述半导体元件的所述第一结合面和所述封装部件的所述第二结合面之间的结合区域的至少一部分区域。
9.根据权利要求5所述的封装方法,其中在上述方法中,在所述补偿部被设置于所述半导体元件的顶表面后,所述补偿部的一外侧包埋部自动地包埋所述半导体元件的侧表面的至少一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波舜宇光电信息有限公司,未经宁波舜宇光电信息有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710709097.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶体管基座的组装方法
- 下一篇:封装件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造