[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710697408.2 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109399553A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐;张新伟;夏长奉;周国平 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶层硅 制备 半导体器件 空腔顶壁 基底 空腔 压阻 退火 薄膜传感器 表面形成 导电引线 工艺成本 氧化埋层 制造工艺 对设备 图案化 良率 体硅 兼容 迁移 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供SOI基底，所述SOI基底包括自下而上的体硅、氧化埋层和顶层硅；
图案化所述顶层硅，以在所述顶层硅中形成若干相互间隔的孔；
执行退火步骤，以使由所述孔相间隔的所述顶层硅迁移形成空腔顶壁和空腔；
在所述空腔顶壁的表面形成若干压阻条；
在若干所述压阻条上形成导电引线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
图案化所述体硅，以形成背腔，露出所述氧化埋层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
去除所述空腔和所述背腔之间的所述氧化埋层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使用氢氟酸蒸汽蚀刻系统去除所述氧化埋层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔的关键尺寸为0.5μm-1μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔的深度为1μm-20μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔的间隔为0.5μm-1μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火步骤在非氧气气氛下进行。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火步骤的温度大于800℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括压阻式差压压力传感器结构。
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