[发明专利]NOR型闪存的擦除方法及装置有效
申请号: | 201710681520.7 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN109390016B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 张赛;刘晓庆 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/34 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nor 闪存 擦除 方法 装置 | ||
本发明实施例提供了一种NOR型闪存的擦除方法及装置,包括:对存储单元进行过擦除验证;对未通过所述过擦除验证的存储单元进行至少一次编程操作,并记录所述编程操作的次数;对所述进行至少一次编程操作且通过所述过擦除验证的存储单元进行擦除验证;根据所述编程操作的次数确定擦除脉冲信号,根据所述擦除脉冲信号,指示增加或减少进行擦除操作的预设擦除时间,并对未通过所述擦除验证的存储单元进行所述擦除操作。本发明实施例提供了一种NOR型闪存的擦除方法及装置,通过记录当前过擦除验证失败之后,对存储单元的编程次数来自动调整擦除时间的长短,从而减小了擦除时间,大大提高了NOR型闪存的运行速度。
技术领域
本发明实施例涉及非易失性存储器技术领域,尤其涉及一种NOR型闪存的擦除方法及装置。
背景技术
在NOR型闪存中,擦除固定容量存储单元的时间往往作为衡量产品性能的参数之一。
传统的擦除方法中包含过擦除验证和擦除验证等操作。过擦除验证的主要作用是避免被擦除的存储单元阈值电压过低的问题。因为过低的阈值电压会增加下次编程操作的时间。而擦除验证,其目的是查看存储单元是否被有效地擦除。过擦除验证失败后需要做编程操作,用于抬高过擦除存储单元的阈值电压。而擦除验证失败后需要对存储单元进行擦除操作,擦除的时间按照提前设定的基本擦除时间操作。如果擦除操作的时间过长,意味着擦除过深,那么在过擦除验证的过程中过擦除验证的次数则越多,所需编程操作的时间就越长;如果过擦除验证的次数较少,例如只有1次或0次,那么说明擦除操作的时间过短,意味着擦除不够,这样会增加擦除操作的次数。所以提前设定的单次擦除时间过长或过短,都会增加整个擦除过程所需的时间。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种NOR型闪存的擦除方法及装置,减小了擦除时间,大大提高了NOR型闪存的运行速度。
第一方面,本发明实施例提供了一种NOR型闪存的擦除方法,包括:
对存储单元进行过擦除验证;
对未通过所述过擦除验证的存储单元进行至少一次编程操作,并记录所述编程操作的次数;
对所述进行至少一次编程操作且通过所述过擦除验证的存储单元进行擦除验证;
根据所述编程操作的次数确定擦除脉冲信号,根据所述擦除脉冲信号,指示增加或减少进行擦除操作的预设擦除时间,并对未通过所述擦除验证的存储单元进行所述擦除操作。
可选的,所述过擦除验证具体包括:读取所述存储单元的阈值电压,若所述存储单元的阈值电压小于过擦除状态的阈值电压,所述存储单元未通过所述过擦除验证;若所述存储单元的阈值电压大于或等于过擦除状态的阈值电压,所述存储单元通过所述过擦除验证。
可选的,所述擦除验证具体包括:读取所述存储单元的阈值电压,若所述存储单元的阈值电压大于擦除状态的阈值电压,所述存储单元未通过所述擦除验证。
可选的,所述根据所述编程操作的次数确定擦除脉冲信号,根据所述擦除脉冲信号,指示增加或减少进行擦除操作的预设擦除时间具体包括:
若所述编程操作的次数大于预设编程操作的次数,选择并发送第一擦除脉冲信号,根据所述第一擦除脉冲信号减少所述预设擦除时间,生成第一擦除时间;
若所述编程操作的次数小于所述预设编程操作的次数,选择并发送第二擦除脉冲信号,根据所述第二擦除脉冲信号,增加所述预设擦除时间,生成第二擦除时间。
可选的,在所述擦除操作之后还包括所述过擦除验证。
第二方面,本发明实施例提供了一种NOR型闪存的擦除装置,包括:
过擦除验证模块,所述过擦除验证模块用于对存储单元进行过擦除验证;
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