[发明专利]一种膜电极及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种膜电极，该电极以铜电极为基底，依次覆盖有L-半胱氨酸层(L-Cys)、天冬酰胺层(Asn)和辣根过氧化物酶层(HRP)；

其中，所述膜电极采用如下方法制备：

(1)铜电极的预处理

将铜电极打磨至光亮后，以蒸馏水清洗，在硝酸中浸泡10秒，再依次用无水乙醇和去离子水清洗，得到预处理后的铜电极；

(2)Cu/L-半胱氨酸自组装膜电极(Cu/L-Cys)的制备

将步骤(1)制备得到的预处理后的铜电极放入1ⅹ10^-3mol/L，pH为7的L-半胱氨酸溶液中浸泡3h，即得Cu/L-半胱氨酸自组装膜电极；

(3)Cu/L-半胱氨酸/天冬酰胺自组装膜电极(Cu/L-Cys/Asn)的制备

将步骤(2)制备得到的Cu/L-半胱氨酸自组装膜电极，清洗，晾干，放入1ⅹ10^-4mol/L，pH为7的天冬酰胺溶液中浸泡17小时，即得Cu/L-半胱氨酸/天冬酰胺自组装膜电极；

(4)Cu/L-半胱氨酸/天冬酰胺/辣根过氧化物酶自组装膜电极(Cu/L-Cys/Asn/HRP)的制备

将步骤(3)制备得到的Cu/L-半胱氨酸/天冬酰胺自组装膜电极，放入浓度为15mg/L，pH为7的辣根过氧化物酶的溶液中浸泡1小时，即得Cu/L-半胱氨酸/天冬酰胺/辣根过氧化物酶自组装三层膜电极。

2.权利要求1的自组装三层膜电极在邻苯二酚和对苯二酚降解中的用途，其中应用时，使用pH为7的PBS缓冲溶液作为底液；

其中，当应用上述自组装三层膜电催化降解邻苯二酚时，所述邻苯二酚为溶液形式，其浓度为1ⅹ10^-3mol/L，pH为5；

当应用上述自组装三层膜电催化降解对苯二酚时，所述对苯二酚为溶液形式，其浓度为1ⅹ10^-4mol/L；pH为5。